Blog Perusahaan Tentang INFINEON IMT65R057M1H 650V 57mΩ Transistor MOSFET Silikon Karbida CoolSiC™

INFINEON IMT65R057M1H Transistor MOSFET Silikon Karbida CoolSiC™ 650V 57mΩ

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., sebagai distributor komponen elektronik terkenal secara global, menawarkan IMT65R057M1H transistor MOSFET CoolSiC™ dari stok. Dengan kinerja switching yang luar biasa, keandalan yang luar biasa, dan kemampuan beradaptasi aplikasi yang luas, ia membuka kemungkinan baru untuk desain sistem elektronik daya modern.

【IMT65R057M1H Ikhtisar Produk】

IMT65R057M1H mewakili penawaran unggulan dalam seri MOSFET CoolSiC™ Infineon. Dibangun menggunakan teknologi semikonduktor parit canggih, ia dioptimalkan untuk memberikan kerugian aplikasi minimal dan keandalan operasional maksimum.

Ini IMT65R057M1H MOSFET silikon karbida saluran-N menampilkan tegangan drain-source 650V (Vds) dan arus drain kontinu (Id) sebesar 44A, dengan resistansi-on hanya 0,057 ohm. Resistansi-on yang rendah dan kemampuan arus yang tinggi memungkinkan peningkatan efisiensi sistem sebesar 3-5%, secara signifikan memperluas jangkauan kendaraan listrik.

Berada dalam paket HSOF-8, IMT65R057M1H mendukung suhu pengoperasian hingga 175°C, menyederhanakan sistem manajemen termal dan mengurangi biaya sambil memenuhi tuntutan keandalan tinggi di lingkungan ekstrem.

【Keunggulan dan Inovasi Teknologi Silikon Karbida】

Dibandingkan dengan perangkat berbasis silikon tradisional, bahan silikon karbida memiliki karakteristik celah pita yang lebar, dengan lebar celah pita sekitar tiga kali lipat dari silikon dan kekuatan medan listrik kritis sekitar sepuluh kali lipat lebih besar.

Hal ini memungkinkan MOSFET SiC untuk menggunakan wilayah drift yang lebih tipis dan lebih banyak didoping, secara signifikan mengurangi resistansi-on. Tidak seperti perangkat IGBT bipolar, MOSFET SiC bersifat unipolar, menghilangkan arus ekor turn-off dan mencapai kerugian switching hingga 80% lebih rendah dibandingkan dengan IGBT silikon.

MOSFET CoolSiC Infineon menggunakan struktur gerbang parit asimetris, memanfaatkan sifat anisotropik kristal SiC. Bidang kristal yang digunakan untuk saluran berorientasi pada sudut tertentu terhadap sumbu vertikal, meminimalkan kepadatan keadaan antarmuka dan perangkap lapisan oksida untuk memastikan mobilitas pembawa saluran maksimum.

【IMT65R057M1H Desain Keandalan dan Fitur Kinerja】

IMT65R057M1H menggunakan teknologi chip M1H CoolSiC yang ditingkatkan dari Infineon, secara signifikan meningkatkan resistansi-on drain-source, memperluas rentang tegangan gate-source, dan meningkatkan fleksibilitas penggerak.

Teknologi M1H selanjutnya memperluas rentang tahan tegangan gerbang, dengan nilai tegangan tahan keadaan stabil antara -7V dan 20V, dan nilai tegangan tahan transien antara -10V dan 23V. Tegangan turn-on yang direkomendasikan adalah 15-18V, dan tegangan turn-off adalah -5V hingga 0V.

MOSFET IMT65R057M1H memiliki tegangan ambang batas tinggi (sekitar 4,5V), melampaui banyak pesaing, ditambah dengan kapasitansi Miller yang sangat rendah. Tegangan ambang batas yang tinggi ini secara efektif menekan fenomena konduksi parasit, meningkatkan stabilitas sistem.

【IMT65R057M1H Pengemasan dan Kinerja Termal】

IMT65R057M1H menggunakan paket HSOF-8 (juga dikenal sebagai PG-HSOF-8), paket pemasangan permukaan yang cocok untuk aplikasi kepadatan daya tinggi.

IMT65R057M1H direkayasa dengan kinerja termal yang luar biasa, mendukung suhu sambungan maksimum 175°C, sehingga lebih meningkatkan kepadatan daya. Karakteristik termalnya yang kuat memungkinkan pengoperasian yang stabil di lingkungan pengoperasian bersuhu tinggi dan keras.

【Area Aplikasi IMT65R057M1H】

MOSFET silikon karbida IMT65R057M1H menemukan aplikasi luas di berbagai domain berkinerja tinggi, berfungsi sebagai komponen kunci untuk meningkatkan efisiensi sistem.

Dalam sektor kendaraan energi baru, IMT65R057M1H cocok untuk inverter penggerak utama, pengisi daya on-board (OBC), dan konverter DC-DC. Frekuensi switching yang tinggi dan karakteristik kerugian yang rendah meningkatkan efisiensi sistem, mengurangi disipasi energi, dan memperpanjang jangkauan berkendara.

Dalam sektor energi terbarukan, MOSFET IMT65R057M1H ini menemukan aplikasi dalam inverter fotovoltaik dan sistem penyimpanan energi. Frekuensi switching tinggi dan kerugian rendah dari MOSFET CoolSiC™ meningkatkan efisiensi konversi surya, memungkinkan efisiensi sistem melebihi 99%.

Selanjutnya, IMT65R057M1H cocok untuk aplikasi termasuk catu daya industri, catu daya server, peralatan telekomunikasi, dan catu daya tak terputus (UPS). Dalam domain ini, ia mengurangi persyaratan termal sistem sambil meningkatkan kepadatan daya.