Blog Perusahaan Tentang Infineon Memperkenalkan CoolGaNTM Transistor GS-065-018-2-L-MR: Efisiensi dan Keandalan yang Sangat Tinggi

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd [Pemasok] Infineon GS-065-018-2-L-MR CoolGaNTM Transistor 650 V ≤ G3 dengan efisiensi dan keandalan yang sangat tinggi.

Gambaran umum:

GS-065-018-2-L-MR adalah GaN yang ditingkatkan pada transistor daya silikon.Transistor pendingin bawah dalam paket PDFN 8x8 mm memungkinkan konsumsi daya yang ideal yang diperlukan untuk adaptor dan pengisi daya USB-C modern atau aplikasi server dan pusat data.

Model: GS-065-018-2-L-MR

Tahun: 24+

Paket: PDFN 8x8

Deskripsi: Perangkat permukaan N-Channel 650 V 18A (Tc) 8-PDFN (8x8)

Fitur

• HEMT yang ditingkatkan - biasanya ditutup
• Perpindahan ultra-cepat
• Tidak ada biaya pemulihan terbalik
• Kemampuan konduksi terbalik
• Biaya gerbang rendah, biaya output rendah
• Kekuatan komutasi yang sangat baik
• JEDEC sesuai (JESD47, JESD22)
• Pendingin bawah
• Zero kerugian pemulihan terbalik
• Pad deteksi sumber untuk drive gerbang yang optimal
• Waktu jatuh dan naik yang cepat dan terkontrol
• RoHS 3 ((6+4) sesuai

Bidang Aplikasi

• AC-DC
• USB powered - USB PD adaptor dan charger
• Sumber daya listrik
• Industri

Jika Anda memiliki permintaan, silakan hubungi Mr Chen melalui telepon:

Tel: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Rumah:www.hkmjd.com