Infineon IPD70R600P7S 700V CoolMOS™ Transistor daya MOSFET saluran-N
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., sebagai pemasok komponen elektronik profesional, menyediakan MOSFET daya IPD70R600P7S asli.
The IPD70R600P7S MOSFET daya 700V CoolMOS™ P7, transistor saluran-N yang menggunakan teknologi super-junction, menawarkan kinerja switching yang luar biasa dan biaya sistem yang dioptimalkan, menjadikannya pilihan ideal untuk konversi daya yang efisien dalam elektronik konsumen dan aplikasi industri.
IPD70R600P7S tidak hanya mewarisi karakteristik kerugian rendah dari seri CoolMOS tetapi juga mencapai terobosan signifikan dalam kemudahan penggunaan dan integrasi sistem, memberikan solusi luar biasa untuk aplikasi seperti pengisi daya, adaptor, dan sistem pencahayaan.
【IPD70R600P7S Ikhtisar Produk】
Seri Infineon CoolMOS™ P7 mewakili terobosan signifikan dalam teknologi MOSFET daya tegangan tinggi. Menggunakan teknologi super-junction yang dipelopori oleh Infineon, seri ini secara khusus dioptimalkan untuk aplikasi yang sensitif terhadap biaya di pasar elektronik konsumen.
Sebagai perangkat 700V dalam seri ini, IPD70R600P7S mencapai keseimbangan yang sangat baik antara efektivitas biaya dan kemudahan penggunaan.
The IPD70R600P7S platform 700V CoolMOS P7 menargetkan aplikasi yang sensitif terhadap biaya seperti pengisi daya ponsel, adaptor daya, pencahayaan LED, dan catu daya televisi.
Aplikasi ini menuntut perangkat konversi daya yang mampu beroperasi pada frekuensi switching tinggi sambil mempertahankan kenaikan suhu yang rendah dan keandalan yang tinggi.
Teknologi CoolMOS P7 mencapai standar efisiensi tertinggi, mendukung desain kepadatan daya tinggi untuk membantu para insinyur mewujudkan solusi daya yang lebih tipis dan lebih ringkas.
【IPD70R600P7S Parameter Kunci dan Karakteristik Listrik】
IPD70R600P7S menawarkan beberapa karakteristik listrik yang mengesankan yang membedakannya dari rekan-rekannya.
Berada dalam paket TO-252, IPD70R600P7S menempati ruang PCB minimal, membuatnya cocok untuk desain papan sirkuit kepadatan tinggi.
Peringkat Tegangan dan Arus: Dengan tegangan drain-source (Vdss) hingga 700V dan arus drain kontinu (Id) sebesar 8.5A, ia mengakomodasi berbagai lingkungan aplikasi tegangan tinggi.
Resistansi-On: Di bawah kondisi pengujian tegangan gate-source 10V dan 1.8A, resistansi-on (RDS(on)) hanya 600mΩ, secara efektif mengurangi kerugian konduksi.
Karakteristik muatan gate: Muatan gate (Qg) sebesar 3.7 nC, dikombinasikan dengan resistansi-on yang rendah, mencapai keseimbangan optimal antara kinerja switching dan kerugian konduksi.
Rentang suhu pengoperasian: Rentang suhu pengoperasian yang luas dari -40°C hingga +150°C memastikan pengoperasian perangkat yang stabil di berbagai lingkungan yang keras.
The IPD70R600P7S MOSFET memiliki rentang tegangan gate-source (Vgs) sebesar ±16V, memberikan margin penggerak yang cukup. Ia juga menggabungkan dioda pelindung ESD terintegrasi, meningkatkan keandalan sistem dan hasil produksi.
【IPD70R600P7S Fitur Struktural dan Inovasi Teknis】
IPD70R600P7S menggunakan teknologi CoolMOS™ generasi ketujuh Infineon, menggunakan struktur super-junction untuk mengatasi keterbatasan kinerja MOSFET konvensional.
Teknologi super-junction mencapai konsentrasi doping yang lebih tinggi dan resistansi-on yang lebih rendah dengan memperkenalkan pilar tipe-p dan tipe-n yang disisipkan di dalam wilayah drift, sambil mempertahankan tegangan tembus yang tinggi.
Dibandingkan dengan generasi sebelumnya, seri P7 menampilkan parameter perangkat yang dioptimalkan secara cermat: Eoss dan Qg dikurangi lebih dari 50%, sementara Ciss dan Coss juga diturunkan.
Optimasi ini secara signifikan mengurangi kerugian switching, memungkinkan kinerja yang unggul dalam aplikasi switching frekuensi tinggi.
IPD70R600P7S selanjutnya mengintegrasikan dioda Zener untuk perlindungan pelepasan listrik statis (ESD), dengan toleransi ESD melebihi 2kV. Hal ini secara substansial mengurangi kegagalan terkait ESD selama produksi, sehingga meningkatkan hasil manufaktur.
【IPD70R600P7S Keunggulan Kinerja】
Efisiensi Energi Ultra-Tinggi
Mendapatkan manfaat dari resistansi-on dan muatan gate yang sangat rendah, IPD70R600P7S mencapai kerugian yang sangat rendah, memenuhi standar efisiensi energi paling ketat di dunia seperti Energy Star dan EU Ecodesign Directive.
Kinerja Termal Unggul
Dengan daya disipasi 43.1W dan karakteristik termal yang luar biasa, IPD70R600P7S memungkinkan pengoperasian terus-menerus di lingkungan bersuhu tinggi, mengurangi persyaratan termal dan menyederhanakan desain manajemen termal.
Kepadatan Daya Tinggi
Kemampuan switching yang cepat dan karakteristik kerugian rendah memungkinkan desain catu daya beroperasi pada frekuensi switching yang lebih tinggi, secara signifikan mengurangi ukuran komponen pasif seperti transformator dan filter.
Optimasi Biaya Sistem
Terlepas dari kinerjanya yang luar biasa, seri CoolMOS P7 mempertahankan struktur biaya yang kompetitif. Dengan mengurangi komponen periferal dan biaya manajemen termal, ia menurunkan pengeluaran BOM sistem secara keseluruhan.
【IPD70R600P7S Skenario Aplikasi Khas】
IPD70R600P7S cocok untuk berbagai skenario konversi daya, menunjukkan kinerja yang luar biasa terutama dalam topologi flyback.
Pengisi Daya dan Adaptor
IPD70R600P7S sangat ideal untuk produk daya konsumen seperti pengisi daya ponsel pintar dan adaptor daya laptop. Frekuensi switchingnya yang tinggi memungkinkan desain yang lebih ringkas dan efisien.
Driver Pencahayaan LED
Dalam driver lampu latar LED TV dan catu daya pencahayaan LED serbaguna, efisiensi tinggi dan kinerja termal IPD70R600P7S yang sangat baik memastikan keandalan sistem jangka panjang.
SMPS Audio
IPD70R600P7S cocok untuk catu daya switching dalam peralatan audio profesional dan sistem audio rumah, di mana karakteristik kebisingan rendahnya menjamin integritas sinyal audio.
Catu Daya Tambahan
The IPD70R600P7S dapat digunakan dalam sirkuit daya tambahan dalam catu daya industri, memberikan daya yang stabil dan andal ke sirkuit kontrol dan sistem pemantauan.
Pesan Anda harus antara 20-3.000 karakter!
Indonesian
