Blog Perusahaan Tentang Infineon IPM018N10: OptiMOS™ 5 Linear MOSFET 100V, Memberikan Kepadatan Daya Tertinggi untuk Hot-Swap dan Perlindungan Baterai

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. memiliki pasokan jangka panjang untuk Infineon asli, stok IPM018N10/IPM018N10NM5LF2—MOSFET daya N-channel 100V yang menampilkan teknologi OptiMOS™ 5 Linear FET 2. Dengan resistansi on serendah 1,7 mΩ, arus drain kontinu hingga 285 A, dan Safe Operating Area (SOA) yang luas, perangkat ini dirancang khusus untuk aplikasi perlindungan—seperti hot-swapping, sekering elektronik (e-Fuse), dan sistem manajemen baterai (BMS)—yang memerlukan ketahanan terhadap lonjakan arus tinggi.

Tinjauan Produk: Tolok Ukur untuk Teknologi OptiMOS™ 5 Linear FET 2

IPM018N10 termasuk dalam seri OptiMOS™ 5 Linear FET 2 dari Infineon dan berfungsi sebagai tolok ukur kinerja untuk kelas tegangan 100V dalam platform ini. Perangkat ini menampilkan paket mTOLG 8×8 mm baru (PG-HSOG-4-1), kompatibel dengan MOSFET paket tipe sayap 8×8 mm² seperti LFPAK88, dan merupakan perangkat paket standar terdaftar JEDEC.

Filosofi desain inti produk ini adalah untuk menggabungkan resistansi on ultra-rendah dengan area operasi aman (SOA) yang luas, yang dioptimalkan secara khusus untuk sirkuit perlindungan yang harus menahan arus masuk dan beroperasi dalam mode linier.

IPM018N10 Spesifikasi Teknis Utama

Tegangan Drain-Source (VDS): 100 V

Arus Drain Kontinu (ID): 285 A (Tc)

Resistansi On (RDS(on)): Maks. 1,7 mΩ @ 100 A, 15 V

Rentang Suhu Operasi: -55°C hingga +175°C

Tipe Paket: PG-HSOG-4-1 (mTOLG 8×8 mm)

Muatan Gerbang (Qg): 178 nC @ 10V

Kapasitansi Input (Ciss): 14.000 pF @ 50V

IPM018N10 Fitur dan Manfaat Utama

Resistansi on terkemuka di industri: RDS(on) serendah 1,4 mΩ hingga 1,7 mΩ, secara signifikan mengurangi kerugian konduksi dan meningkatkan efisiensi energi sistem

Safe Operating Area (SOA) Luas: Kemampuan operasi mode linier yang sangat baik, menangani arus masuk dengan aman selama startup dan kondisi kesalahan

Kepadatan Daya Tinggi: Mencapai disipasi daya 349 W dalam paket 8×8 mm yang ringkas, secara signifikan menghemat ruang PCB

Karakteristik Transfer yang Dioptimalkan: Rentang distribusi Vgs(th) yang lebih sempit, meningkatkan pembagian arus ketika beberapa perangkat dihubungkan secara paralel

Pengujian Avalanche 100%: Memastikan keandalan perangkat dalam kondisi operasi yang keras

Aplikasi Utama

The IPM018N10 dirancang khusus untuk menjadi pilihan ideal untuk aplikasi perlindungan arus lonjakan dan switching kepadatan daya tinggi:

Sistem Manajemen Baterai (BMS): Digunakan untuk perlindungan sirkuit utama dan sirkuit pra-pengisian daya dalam paket baterai untuk memastikan keamanan dan keandalan sistem

Hot-Swap dan Sekering Elektronik (e-Fuse): Memberikan pembatasan arus yang mulus dan perlindungan hubung singkat, mencegah lonjakan tegangan atau arus yang merusak selama hot-swapping

Catu Daya Server (Server PSU): Memenuhi persyaratan ketat pusat data untuk modul daya efisiensi tinggi dan kepadatan daya tinggi

Infrastruktur Telekomunikasi: Cocok untuk perlindungan hot-swap dan konversi daya dalam catu daya peralatan komunikasi

Untuk meminta penawaran produk, sampel, atau informasi inventaris, silakan hubungi Mingjiada Electronics:

Kontak: Bpk. Chen

Telepon: 13410018555

Email: +86 sales@hkmjd.com

Situs Web: https://www.integrated-ic.com/

Tag: IPM018N10NM5LF2, IPM018N10NM5LF, IPM018N10NM5L, IPM018N10NM5, IPM018N10NM, IPM018N10N, IPM018N10