Blog Perusahaan Tentang Infineon IPW65R110CFD 650V CoolMOS TM N-Channel Power MOSFET Transistor

InfineonIPW65R110CFD650V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,sebagai pemasok komponen elektronik yang terkenal, sekarang menawarkan InfineonIPW65R110CFD650V CoolMOS TM MOSFET transistor daya N-saluran. produk ini mewakili Infineon generasi kedua pasar terkemuka MOSFET tegangan tinggi,memberikan kinerja dan keandalan yang luar biasa yang membuatnya menjadi pilihan ideal untuk aplikasi industri.

️IPW65R110CFDRingkasan Produk

IPW65R110CFD mewakili generasi kedua CoolMOSTM MOSFET tegangan tinggi Infineon, menggunakan teknologi 650V canggih dengan dioda tubuh cepat terintegrasi.Perangkat ini menggantikan teknologi 600V CFD, memberikan peningkatan lebih lanjut dalam efisiensi energi.

Teknologi CoolMOSTM dirancang berdasarkan prinsip Super-Junction yang revolusioner, melampaui keterbatasan MOSFET tenaga konvensional.IPW65R110CFDtidak hanya mewarisi efisiensi tinggi dari rentang CoolMOS TM tetapi juga menampilkan optimasi di berbagai parameter kunci.

Dirancang untuk memberikan kepadatan daya yang lebih tinggi dan kinerja switching yang superior,IPW65R110CFDmenawarkan daya saing yang jauh lebih baik daripada produk saingan karena perilaku komutasi yang lebih lembut dan karakteristik interferensi elektromagnetik yang ditingkatkan.Atribut ini memfasilitasi integrasi desain yang lebih mudah sambil memberikan titik harga yang lebih kompetitif.

¢Characteristics Key dan Performance Parameters dariIPW65R110CFD️

IPW65R110CFD memiliki beberapa parameter karakteristik yang mengesankan yang secara langsung menentukan kinerja yang luar biasa di berbagai aplikasi:

MOSFET ini memiliki tegangan pemecahan sumber pembuangan (VDS) hingga 650V, memberikan margin keamanan yang luas.sementara arus pembuangan pulsa (IDM) mencapai puncak pada 99.6A.

Resistensi pada sumber pembuangan maksimum (RDS ((on)) adalah 110mΩ (diuji pada tegangan gerbang 10V), dengan nilai khas yang lebih rendah.

PeraturanIPW65R110CFDmenggunakan paket TO-247 dengan muatan gerbang khas (Qg) 118 nC (@ 10V). muatan gerbang rendah ini secara signifikan mengurangi kerugian switching. total disipasi daya (Ptot) mencapai hingga 277,8W,menunjukkan kemampuan penanganan daya yang luar biasa.

IPW65R110CFD juga menggabungkan dioda tubuh yang sangat cepat dengan muatan pemulihan terbalik yang sangat rendah (Qrr),memungkinkan untuk membatasi tegangan yang berlebihan selama hard switching dan dengan demikian meningkatkan keandalan sistem.

️IPW65R110CFDFitur Produk

IPW65R110CFD menggunakan teknologi CoolMOSTM CFD2 canggih Infineon dengan dioda tubuh cepat terintegrasi, memberikan peningkatan efisiensi yang signifikan dibandingkan generasi sebelumnya.

Karakteristik utama meliputi:

Kemampuan tegangan tinggi: Tegangan pemisahan sumber pembuangan 650V (VDS) memberikan margin desain tambahan.

Rintangan rendah: RDS ((on) maksimum 110mΩ (pada 10V VGS) secara efektif mengurangi kerugian konduksi.

Kemampuan penanganan arus tinggi: arus pembuangan terus menerus (ID) hingga 31,2A, dengan arus pulsa (IDpuls) mencapai 99,6A.

Kinerja switching yang cepat: Kerugian switching berkurang secara signifikan berkat muatan gerbang yang rendah (Qg hanya 118nC) dan muatan pemulihan terbalik yang rendah (Qrr).

Karakteristik termal yang unggul: disipasi daya maksimum 277,8W dengan resistensi termal (RthJC) serendah 0,45K / W. Menggunakan paket TO-247 klasik untuk manajemen termal yang mudah.

️IPW65R110CFDKeuntungan Utama

PeraturanIPW65R110CFDmelampaui MOSFET standar, memberikan beberapa manfaat desain:

Perilaku komutasi yang lebih lembut dan kinerja interferensi elektromagnetik (EMI) yang superior, menawarkan keuntungan yang jelas dibandingkan dengan solusi yang bersaing.

Qrr rendah selama pemutaran berulang dioda tubuh, secara efektif mengurangi kerugian pemutaran.

Kemampuan di/dt dan dv/dt yang membatasi diri, meningkatkan keandalan sistem.

Secara signifikan mengurangi Qg dibandingkan dengan teknologi 600V CFD, dengan perilaku switching yang lebih baik dan harga yang lebih kompetitif.

️IPW65R110CFDDomain Aplikasi

IPW65R110CFD cocok untuk berbagai aplikasi bertenaga tinggi dan efisiensi tinggi:

Dalam infrastruktur komunikasi, seperti stasiun basis seluler, efisiensi tinggi berkontribusi terhadap pengurangan biaya operasi dan peningkatan keandalan sistem.

Sumber daya server merupakan bidang aplikasi penting lainnya, di mana permintaan daya pusat data yang meningkat menciptakan kebutuhan mendesak untuk konversi daya yang efisien.

Dalam sektor energi terbarukan, seperti inverter surya,IPW65R110CFDKemampuan tegangan tinggi dan efisiensi membuatnya menjadi pilihan yang ideal.

Infrastruktur pengisian kendaraan listrik, terutama stasiun pengisian cepat, juga mendapat manfaat dari kapasitas dan efisiensi pengolahan daya tinggi perangkat ini.

Selain itu, dapat digunakan dalam aplikasi termasuk balast lampu HID, pencahayaan LED, dan solusi mobilitas listrik.