Blog Perusahaan Tentang IRF1310NPBF: MOSFET Daya Saluran-N Infineon 100V, Pilihan Utama untuk Manajemen Daya yang Efisien

Mingjiada Electronics memasokIRF1310NPBF, MOSFET daya saluran N 100V berkinerja tinggi yang diperkenalkan oleh Infineon,yang memberikan kinerja yang luar biasa dalam aplikasi manajemen daya yang efisien dan merupakan komponen kunci yang sangat diperlukan dalam banyak perangkat elektronik.

Ringkasan ProdukIRF1310NPBF
IRF1310NPBF adalah MOSFET daya N-channel berkinerja tinggi yang menampilkan teknologi HEXFET® canggih, menawarkan resistensi yang sangat rendah dan kinerja switching yang sangat baik.IRF1310NPBF dikemas dalam paket TO-220AB dan ideal untuk arus tinggi, aplikasi manajemen daya tegangan tinggi seperti power supply switching, drive motor, dan sistem kontrol industri.Ini adalah pilihan yang disukai untuk insinyur dalam desain catu daya.

Fitur dan ParameterIRF1310NPBF
Parameter Listrik Dasar: IRF1310NPBF memiliki tegangan sumber pembuangan maksimum 100V, arus pembuangan terus-menerus hingga 42A, dan disipasi daya maksimum 160W.Ini memiliki ketahanan yang sangat rendah, setinggi 36mΩ @ 10V, 22A. Muatan gerbangnya adalah 110nC @ 10V, kapasitansi masukan adalah 1,9nF @ 25V, dan kapasitansi transfer terbalik adalah 230pF @ 25V.
Kisaran suhu operasi: IRF1310NPBF dapat beroperasi stabil dalam kisaran suhu yang luas dari -55°C sampai +175°C,beradaptasi dengan berbagai lingkungan operasi yang keras dan memastikan operasi peralatan yang dapat diandalkan dalam kondisi suhu yang berbeda.
Karakteristik paket: IRF1310NPBF ditempatkan dalam paket TO-220AB dengan dimensi panjang 10,54 mm, lebar 4,4 mm, dan tinggi 8,77 mm,menawarkan kinerja disipasi panas yang sangat baik dan kemampuan isolasi listrikBahan kemasan memberikan kemampuan isolasi tegangan tinggi hingga 2,5kVRMS dan jarak creepage 4,8mm, secara efektif mencegah masalah seperti kebocoran dan sirkuit pendek.
Parameter kinerja dinamis: IRF1310NPBF memiliki kecepatan beralih yang cepat, memungkinkan konversi daya yang efisien.berkinerja sangat baik dalam aplikasi switching frekuensi tinggiSelain itu, IRF1310NPBF memiliki kemampuan penyerapan energi longsor, mampu menahan tingkat tertentu dari kelebihan beban dan lonjakan tegangan sementara, meningkatkan keandalan dan keamanan sistem.

Parameter rinci dariIRF1310NPBF
Jenis FET: MOSFET saluran N
Tegangan sumber pembuangan: 100V
Arus pembuangan terus menerus: 42A (pada 25°C)
Resistensi on: 36mΩ (pada 10V, 22A)
Pengisian gerbang: 110nC (pada 10V)
Kapasitas masukan: 1900pF (pada 25V)
Tegangan sumber gerbang: ±20V
Tegangan ambang: 2V sampai 4V
Tipe kemasan: TO-220AB (mounting melalui lubang)
Kisaran suhu operasi: -55°C sampai +175°C
Penghambatan daya: 160W (pada 25°C)

Aplikasi Tipikal
PeraturanIRF1310NPBFdigunakan secara luas di bidang berikut:
Switching Power Supplies (SMPS): Digunakan dalam konversi AC-DC dan modul DC-DC untuk meningkatkan efisiensi energi.
Motor Drive: Cocok untuk kontrol motor industri, alat listrik, dan peralatan otomatis.
Modul Manajemen Daya: Digunakan dalam sistem UPS, inverter, dan sistem manajemen baterai.
Elektronik Otomotif: Memenuhi persyaratan keandalan yang tinggi untuk catu daya kendaraan dan driver LED.
Elektronik Konsumen: Seperti amplifier audio dan charger bertenaga tinggi.

Penyediaan dan Dukungan
Mingjiada Electronics, sebagai distributor komponen elektronik terkenal, menawarkanIRF1310NPBFUntuk dukungan teknis atau pembelian massal IRF1310NPBF, silakan hubungi Mingjiada Electronics untuk penawaran terbaik.

Informasi Kontak
Telepon: +86 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Situs web:www.integrated-ic.com