Blog Perusahaan Tentang Mingjiada Pasokan besar Infineon IMZC120R007 MOSFET Karbida Silikon: 1200V / 7mΩ, Paket TO-247-4, Pasokan stok di Shenzhen

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. (Mingjiada Electronics), sebagai distributor profesional komponen elektronik stok, telah lama memasok MOSFET silikon karbida (SiC) seri Infineon CoolSiC™ asli. Di antaranya, IMZC120R007 (nomor model lengkap: IMZC120R007M2H) adalah salah satu produk unggulan dari platform teknologi CoolSiC™ generasi kedua Infineon. Mingjiada mempertahankan stok konstan di Shenzhen, mendukung pengiriman cepat untuk sampel batch kecil dan produksi volume besar, menyediakan solusi semikonduktor daya yang efisien dan andal bagi pelanggan.

I. Tinjauan Produk

IMZC120R007 adalah MOSFET daya silikon karbida (SiC) 1200V yang diluncurkan oleh Infineon Technologies, termasuk dalam seri CoolSiC™ G2 (generasi kedua). Memanfaatkan teknologi gerbang trench canggih dan keahlian luas Infineon di bidang SiC, perangkat ini mencapai resistansi on (RDS(on)) yang sangat rendah dan kecepatan switching ultra-tinggi, sambil juga menawarkan stabilitas dan keandalan suhu tinggi yang sangat baik.

Model ini menggunakan paket TO-247-4 pin (sumber Kelvin empat pin), yang, dibandingkan dengan paket tiga pin tradisional, secara signifikan mengurangi induktansi sumber umum dalam sirkuit drive, secara nyata meningkatkan kinerja switching, dan mengurangi kerugian switching, menjadikannya sangat cocok untuk aplikasi konversi daya frekuensi tinggi dan efisiensi tinggi. Memanfaatkan jaringan pengadaan global dan pusat distribusi Shenzhen, Mingjiada Electronics memastikan ketersediaan perangkat IMZC120R007 asli dalam stok untuk memenuhi kebutuhan berbagai aplikasi kelas industri dan otomotif.

II. Fitur dan Keunggulan Utama

Resistansi on sangat rendah: Nilai tipikal 7 mΩ (RDS(on)), dengan maksimum 9 mΩ (pada 25°C), secara signifikan mengurangi kerugian konduksi dan meningkatkan efisiensi sistem

Tegangan blocking tinggi: 1200 V VDS, memenuhi persyaratan busbar tegangan tinggi dan cocok untuk kendaraan listrik 800 V dan sistem fotovoltaik

Kerugian Switching Rendah: Berkat karakteristik frekuensi tinggi yang sangat baik dari material SiC, kerugian switching jauh lebih rendah daripada IGBT berbasis silikon dengan spesifikasi yang setara, memungkinkan frekuensi switching yang lebih tinggi (hingga beberapa ratus kHz) dan mengurangi ukuran komponen pasif

Rentang Suhu Operasi Luas: Suhu sambungan hingga 175°C, memenuhi persyaratan keandalan jangka panjang di lingkungan yang keras

Paket TO-247-4: Pin sumber Kelvin menghilangkan induktansi sumber umum dalam sirkuit drive, memungkinkan transisi switching yang lebih cepat dan ringing yang lebih rendah, sehingga meningkatkan keandalan drive gerbang

Dioda Badan Terintegrasi: Menampilkan muatan pemulihan terbalik (Qrr) yang rendah, memungkinkan konduksi terbalik tanpa kerugian tanpa memerlukan dioda freewheeling eksternal (cocok untuk topologi penyearahan sinkron)

Resistansi Avalanche Tinggi: Menawarkan resistansi avalanche yang kuat, meningkatkan ketahanan sistem

Kompatibel dengan Tegangan Gerbang Drive Standar: Mendukung gerbang drive 0 V hingga 18 V (tegangan penyalaan yang direkomendasikan adalah 15 V), memastikan kompatibilitas dengan driver yang ada

Mematuhi standar otomotif AEC-Q101 (untuk model kelas otomotif) atau memenuhi persyaratan keandalan kelas industri

III. Spesifikasi Rinci

Berikut adalah spesifikasi teknis utama untuk IMZC120R007 (IMZC120R007M2H):

Jenis Produk: Silicon Carbide MOSFET

Paket / Housing: PG-TO247-4-U07

Jumlah Saluran: 1 Saluran

Vds – Tegangan Breakdown Drain-Source: 1,2 kV

Id – Arus Drain Berkelanjutan: 201 A

Rds On – Resistansi Drain-Source On: 20 mOhms

Vgs – Tegangan Gerbang-Sumber: -10 V, +25 V

Vgs th – Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: 5,1 V

Qg – Muatan Gerbang: 176 nC

Suhu Operasi Minimum: -55 °C

Suhu Operasi Maksimum: +175 °C

Pd – Disipasi Daya: 711 W

Nama Merek: CoolSiC

Konfigurasi: Enhancement

Waktu Jatuh: 33,6 ns

Konduktansi Transforward – Minimum: 60 S

Waktu Naik: 21,5 ns

Seri: CoolSiC G2

Polaritas Transistor: N-Channel

Jenis Transistor: 1 N-Channel

Tipe: SiC MOSFET

Waktu Tunda Mati Tipikal: 76,3 ns

Waktu Tunda Nyala Tipikal: 32,4 ns

IV. Aplikasi Khas

Dengan kinerja luar biasa 1200 V/7 mΩ, IMZC120R007 cocok untuk sistem konversi daya dengan persyaratan efisiensi, kepadatan daya, dan keandalan yang sangat tinggi, khususnya meliputi:

Stasiun Pengisian Kendaraan Listrik: Tahap PFC dan DC-DC dalam modul pengisian cepat DC, memungkinkan desain efisiensi tinggi dan kepadatan daya tinggi

Inverter PV: Tahap MPPT dan inverter dalam inverter string, meningkatkan efisiensi sistem dan mengurangi ukuran

Sistem Penyimpanan Energi (ESS): Konverter DC-DC dua arah, memungkinkan konversi energi yang efisien

Catu daya industri: Catu daya switching daya tinggi seperti catu daya server, catu daya telekomunikasi, dan catu daya pelapisan listrik

Pengisi Daya On-Board (OBC) dan konverter DC-DC (memenuhi persyaratan keandalan kelas otomotif)

Inverter Traksi (auxiliary atau penggerak utama, memerlukan kepatuhan dengan AEC-Q101)

Catu Daya Tak Terputus (UPS) dan Filter Daya Aktif (APF)

V. Pasokan dan Layanan

Mingjiada Electronics telah memasok sejumlah besar MOSFET silikon karbida Infineon IMZC120R007 untuk jangka waktu yang lama. Gudang Shenzhen kami menyimpan stok produk ini secara konstan. Kami menjamin produk asli 100% dan menyediakan layanan berikut:

Pengadaan Fleksibel: Mendukung pembelian sampel batch kecil dan pesanan produksi volume besar

Pengiriman Cepat: Stok di Shenzhen; dikirim dalam waktu 24 jam setelah pesanan ditempatkan

Logistik Global: Memanfaatkan jaringan gudang kami di Hong Kong dan Shenzhen, kami mendukung pengiriman domestik dan internasional

Untuk inventaris terbaru, harga, atau untuk meminta penawaran, silakan kunjungi situs web Mingjiada Electronics (www.hkmjd.com) atau hubungi tim penjualan kami.

Informasi Kontak:

Seluler: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Alamat: Kamar 1239-1241, Gedung Guoli, Jalan Zhenzhong, Distrik Futian, Shenzhen, Provinsi Guangdong

Tag: IMZC120R007M2H, IMZC120R007M2, IMZC120R007M, IMZC120R007