Blog Perusahaan Tentang Mingjiada Menyediakan Berbagai Macam Transistor GaN HEMT (Gallium Nitride) Infineon—Model CoolGaN—Tersedia

PT. Shenzhen Mingjiada Electronics adalah pemasok stok profesional transistor Infineon GaN HEMT, menawarkan transistor GaN HEMT seri CoolGaN™ Infineon yang baru dan asli dalam stok. Rangkaian produk kami mencakup rentang tegangan penuh dari 40V hingga 850V, termasuk seri tegangan menengah G3, seri tegangan tinggi G5, sakelar dua arah (BDS), dan perangkat kelas otomotif, menyediakan dukungan pengadaan perangkat daya GaN satu atap untuk pelanggan dalam pengisian daya cepat, pusat data, inverter fotovoltaik, kendaraan energi baru, dan catu daya industri.I. Seri Produk Inti Infineon GaN HEMT yang Dipasok oleh Mingjiada

Infineon’s CoolGaN™ adalah salah satu dari sedikit portofolio produk HEMT GaN di industri yang mencakup aplikasi tegangan menengah/rendah dan tegangan tinggi sambil menawarkan opsi kelas otomotif. Mingjiada menyimpan stok seri berikut dan mendukung permintaan sampel batch kecil serta pengiriman produksi massal.

1. Seri Tegangan Tinggi CoolGaN™ G5 (650V/700V)

Berdasarkan teknologi Gate Injection Transistor (GIT), seri G5 dirancang untuk aplikasi tegangan tinggi di sektor industri dan energi baru. Ini menawarkan peningkatan efisiensi 3%–5% dibandingkan solusi berbasis silikon tradisional dan mendukung switching frekuensi tinggi pada level MHz. Menurut data resmi dari Infineon, produk G5 650V memiliki resistansi on mulai dari 25 mΩ hingga 140 mΩ dan arus drain kontinu maksimum hingga 70 A. Pilihan paket termasuk TOLL, TOLT, DSO TSC, DFN 8×8, dan ThinPAK 5×6.

Mingjiada menyimpan model G5 representatif berikut dalam stok:

Model Paket Parameter Kunci

IGT65R025D2 TOLL 650V / 70A / 25mΩ

IGT65R035D2 TOLL 650V / 49A / 35mΩ

IGT65R045D2 TOLL 650V / 38A / 45mΩ

IGT65R140D2 TOLL 650V / 13A / 140mΩ

IGLD65R055D2 DFN 8×8 650V / 28A / 55mΩ

2. Seri Kelas Industri CoolGaN™ 600V (e-mode HEMT)

HEMT GaN e-mode 600V adalah lini produk bervolume tinggi Mingjiada untuk catu daya pusat data, SMPS server, penyearah telekomunikasi, dan aplikasi pengisian daya nirkabel. Seri ini menampilkan struktur yang ditingkatkan (biasanya mati) tanpa muatan pemulihan terbalik, waktu naik serendah 9 ns, waktu turun 13 ns, dan rentang suhu sambungan operasi dari -55°C hingga +150°C.

Model representatif Mingjiada dalam seri 600V meliputi:

IGO60R070D1: 600V / 31A / 70mΩ, paket DSO-20, cocok untuk topologi half-bridge switching keras dan switching lunak seperti totem-pole PFC dan LLC frekuensi tinggi.

IGOT60R070D1: Paket DSO-20 yang didinginkan atas, cocok untuk desain manajemen termal dengan kepadatan daya tinggi.

IGLD60R070D1: Paket LSON-8, dirancang untuk adaptor ringkas dan pengisian daya cepat.

IGT60R190D1: Paket HSOF-8, peringkat 190 mΩ, cocok untuk catu daya industri daya menengah.

IGLR60R340D1: Peringkat 340 mΩ, cocok untuk catu daya tambahan yang sensitif terhadap biaya dan aplikasi daya rendah.

IGLR60R260D1: HEMT GaN e-mode 600V, dirancang untuk konversi frekuensi tinggi dan efisiensi tinggi.

IGI60F1414A1L: Tahap daya pintar CoolGaN™ 600V dengan driver gerbang terintegrasi, 140 mΩ, paket QFN-28 8×8 mm, menyederhanakan desain sistem dan sirkuit perlindungan.

3. Seri Tegangan Menengah CoolGaN™ G3 (40V–120V)

Seri G3 dirancang untuk aplikasi tegangan menengah hingga rendah seperti sistem otomotif 48V, pengisian daya cepat USB-C, penggerak motor, dan catu daya telekomunikasi. Ini menampilkan paket RQFN 5×6 / 3.3×3.3 yang kompatibel dengan tata letak MOSFET berbasis silikon, dengan resistansi on serendah 1,1 mΩ hingga 2,3 mΩ. Model sakelar dua arah (BDS) 40V dapat menggantikan MOSFET back-to-back tradisional, menghemat area PCB 50%–75%.

Model representatif: IGO60R070D1 (juga terdaftar untuk aplikasi sakelar dua arah tegangan rendah hingga menengah); untuk tabel pemilihan lengkap model G3 40V/100V tertentu, silakan hubungi tim penjualan Mingjiada.

4. Sakelar Dua Arah CoolGaN™ (BDS) — Konduksi/Pemblokiran Dua Arah Chip Tunggal

BDS CoolGaN™ Infineon adalah perangkat GaN dua arah mode peningkatan terintegrasi chip tunggal pertama di industri. Ini menggantikan arsitektur sakelar dua arah “empat perangkat paralel” tradisional dengan satu perangkat, secara signifikan mengurangi daftar material dan jejak PCB.

Model representatif yang dipasok oleh Mingjiada:

IGLT65R055B2: BDS kelas industri tegangan tinggi 650V dalam paket TOLT (Top-Out-Through), menampilkan kekebalan lonjakan 850V; cocok untuk stasiun pengisian daya dua arah, PCS penyimpanan energi, pemutus sirkuit solid-state, dan konverter DC-DC dua arah.

IGK080B041S: BDS serbaguna tegangan rendah 40V dalam paket skala chip, dirancang untuk aplikasi switching dua arah yang diminimalkan dalam elektronik otomotif dan konsumen.

5. Seri Kelas Otomotif CoolGaN™ (100V/600V, AEC-Q101)

Infineon telah memperkenalkan HEMT GaN bersertifikat AEC-Q101 untuk sistem otomotif 48V dan pengisian daya di dalam kendaraan. Mingjiada menawarkan seri kelas otomotif 100V, cocok untuk pengontrol zona, konverter DC-DC utama, sistem tambahan berkinerja tinggi, dan amplifier audio Kelas D; ini juga memasok HEMT GaN e-mode 600V yang memenuhi standar otomotif (seperti IGOT60R070D1AU, IGO60R070D1AU, dll.).

II. Mengapa Memilih Mingjiada untuk Pengadaan Infineon GaN HEMT

Langsung dari produsen, baru dan asli. Semua produk CoolGaN™ Infineon di Mingjiada berasal langsung dari produsen atau saluran resmi, memastikan tidak ada suku cadang rekondisi atau baru yang lepas. Setiap chip menjalani inspeksi kualitas untuk menjamin keandalan jangka panjang perangkat daya.

Lini produk lengkap dalam stok, dengan pengiriman cepat. Operasi terkoordinasi di dua gudang di Shenzhen dan Hong Kong mempertahankan stok pengaman strategis untuk model CoolGaN™ populer. Pengiriman domestik dikirim dalam waktu 48 jam, mendukung peralihan fleksibel antara sampel R&D dan pesanan produksi massal, yang secara signifikan mempersingkat waktu pemasaran pelanggan.

Daya saing harga didorong oleh pembelian volume. Memanfaatkan kemitraan mendalam kami dengan Infineon dan keuntungan pembelian massal, Mingjiada menawarkan harga bertingkat dan layanan penguncian harga jangka panjang untuk membantu pelanggan mengontrol biaya BOM selama fase implementasi solusi GaN.

III. Skenario Aplikasi Khas

HEMT GaN CoolGaN™ Infineon telah diadopsi oleh basis pelanggan Mingjiada di berbagai skenario inti berikut:

Pengisian Cepat dan Adaptor: Perangkat e-mode 600V dan tegangan menengah G3 digunakan dalam flyback QR frekuensi tinggi, totem-pole PFC, dan catu daya USB-C PD, memungkinkan desain yang ringkas dan kepadatan daya tinggi.

Pusat Data dan Catu Daya Server: Seri G5 650V digunakan dalam SMPS server berperingkat Titanium dan distribusi daya DC tegangan tinggi, dengan kerugian switching yang secara signifikan lebih rendah daripada MOSFET super-junction berbasis silikon.

Inverter PV dan Penyimpanan Energi: Perangkat G5 650V digunakan dalam tahap DC-AC dari inverter string dan PCS penyimpanan energi, meningkatkan efisiensi hingga lebih dari 98%.

Kendaraan Energi Baru: GaN kelas otomotif 100V/600V digunakan dalam OBC, konverter DC-DC, dan pengontrol zona 48V, memenuhi persyaratan keandalan AEC-Q101.

Penggerak Motor Industri dan Pemutus Sirkuit Solid-State: Sakelar dua arah BDS digunakan untuk kontrol maju/mundur motor, relai solid-state, dan konversi daya dua arah, menyederhanakan topologi dengan arsitektur chip tunggal.

IV. Hubungi Mingjiada untuk Pemilihan dan Penawaran GaN HEMT

Untuk memeriksa ketersediaan stok saat ini untuk model di atas, mendapatkan tabel pemilihan lengkap, atau meminta sampel gratis, silakan hubungi Mingjiada Electronics:

Kontak: Bpk. Chen

Telepon / WeChat: +86 0755-83294757 / 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Alamat: Kamar 1239–1241, Gedung Asia Baru Guoli, Jalan Zhenzhong, Distrik Futian, Shenzhen, Provinsi Guangdong

Mingjiada juga memasok driver gerbang khusus GaN Infineon (seperti seri GaN EiceDRIVER™) dan MOSFET SiC, mendukung pemesanan satu atap untuk solusi hibrida GaN+SiC.