logo
Rumah Berita

Blog Perusahaan Tentang Mingjiada Pasokan Infineon F-RAM Ferroelectric RAM, Pasokan Memori F-RAM Serial, Memori F-RAM Paralel

Sertifikasi
Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Sertifikasi
Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Sertifikasi
Ulasan pelanggan
Dikirim sangat cepat, dan sangat membantu, Baru dan Asli, akan sangat merekomendasikan.

—— Nishikawa dari Jepang

Layanan profesional dan cepat, harga barang yang dapat diterima.komunikasi bagus, produk sesuai harapan.Saya sangat merekomendasikan pemasok ini.

—— Luis Dari Amerika Serikat

Kualitas tinggi dan kinerja yang dapat diandalkan: "Komponen elektronik yang kami terima dari [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] berkualitas tinggi dan telah menunjukkan kinerja yang dapat diandalkan dalam perangkat kami".

—— Richardg dari Jerman

Harga yang kompetitif: Harga yang ditawarkan oleh sangat kompetitif, menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk kebutuhan pengadaan kami.

—— Tim dari Malaysia

Mereka selalu responsif dan membantu, memastikan kebutuhan kami dipenuhi dengan cepat.

—— Vincent dari Rusia

Harga bagus, pengiriman cepat, dan layanan pelanggan terbaik.

—— Nishikawa dari Jepang

Komponen yang handal, pengiriman cepat, dan dukungan yang sangat baik.

—— Sam dari Amerika Serikat

Bagian berkualitas tinggi dan proses pemesanan yang mulus. sangat merekomendasikan ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd untuk setiap proyek elektronik!

—— Lina dari Jerman

I 'm Online Chat Now
perusahaan Blog
Mingjiada Pasokan Infineon F-RAM Ferroelectric RAM, Pasokan Memori F-RAM Serial, Memori F-RAM Paralel

Mingjiada Supply Infineon F-RAM Ferroelectric RAM, Supply Serial F-RAM Memory, Parallel F-RAM Memory

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.  pemasok jangka panjang dari seluruh produk memori Infineon, termasuk seri ferroelectric RAM (F-RAM) dan paralel ferroelectric RAM (F-RAM).Perangkat ini menggabungkan kemampuan membaca / menulis RAM berkecepatan tinggi dengan nonvolatilitas ROM; keuntungan utamanya terletak pada kecepatan tinggi menulis, konsumsi daya yang sangat rendah dan daya tahan membaca / menulis yang hampir tidak terbatas.Mingjiada Electronics mempertahankan stok model arus utama dan mendukung baik sampel batch kecil dan pesanan volume besar; didukung oleh sistem logistik yang efisien, kami memastikan pengiriman produk yang cepat.

 

F-RAM (ferroelectric random-access memory atau FeRAM)adalah memori non-volatile yang berdiri sendiri yang secara instan menangkap dan menyimpan data kritis jika terjadi pemadaman listrik. Ini sangat cocok untuk aplikasi log data misi-kritis,seperti pengontrol logika terprogram berkinerja tinggi (PLC) yang membutuhkan keandalan tinggi, kontrol dan throughput, atau perangkat pemantauan pasien yang dirancang untuk meningkatkan kualitas hidup.

 

Mingjiada Electronics memasok perangkat memori ferroelektrik seri F-RAM Infineon berikut:
FM25V02A-G: 256-Kbit (32K × 8) serial ferroelectric RAM (F-RAM) dengan antarmuka SPI yang beroperasi hingga 40 MHz.

 

FM25V05-G: 512-Kbit (64K × 8) serial F-RAM dengan penyimpanan non-volatile yang sangat tahan lama, beroperasi pada 2,0 V hingga 3,6 V, dengan kisaran suhu dari ₹40°C hingga +85°C, laju bus SPI hingga 40 MHz,dan dukungan untuk mode 0 dan 3.

 

FM25V10-G: Memori F-RAM serial 1 Mbit (128K × 8) dengan antarmuka SPI, beroperasi pada 2.0 V hingga 3,6 V, mendukung rasio jam SPI hingga 40 MHz, dengan NoDelay TM tulis untuk penyimpanan data instan.

 

FM25V20A-DG: 2-Mbit (256K × 8) serial F-RAM memori, memanfaatkan teknologi ferroelectric canggih, dengan tegangan operasi dari 2,0 V hingga 3,6 V dan kisaran suhu dari 40 °C hingga + 85 °C.Mendukung antarmuka SPI dengan kecepatan maksimum 40 MHz dan NoDelayTM bus-speed writing.

 

FM25V20A-DGQ: Memori F-RAM serial 2-Mbit (256K × 8) dengan kemampuan suhu yang diperpanjang, beroperasi pada 2,0 V hingga 3,6 V, menampilkan kemampuan menulis kecepatan tinggi NoDelayTM dan laju SPI hingga 33 MHz (Mode 0/3),cocok untuk sering, aplikasi penyimpanan nonvolatile berkecepatan tinggi di sektor industri dan medis.

 

FM25V20A-G: 2-Mbit (256 K × 8) serial F-RAM memori, yang beroperasi pada 2.0 V sampai 3,6 V, dengan kisaran suhu dari ¢40 °C sampai +85 °C; memiliki antarmuka SPI maksimum 40 MHz untuk menulis cepat, tanpa keterlambatan,cocok untuk aplikasi yang membutuhkan tulisan yang sering atau cepat, seperti kontrol industri dan akuisisi data.

 

FM1808B-SG: 256 Kbit (32 K × 8) RAM ferroelektrik paralel (F-RAM) dalam paket SOIC 28-pin, kompatibel dengan SRAM dan EEPROM. Tegangan operasi: 4,5 V hingga 5,5 V; kisaran suhu: 40 °C hingga +85 °C.

 

FM18W08-SG: 256 Kbit (32 K × 8) byte-wide ferroelectric random-access memory (F-RAM), yang beroperasi pada 2,7 V sampai 5,5 V dan dalam kisaran suhu ±40°C sampai +85°C,cocok untuk aplikasi menulis frekuensi tinggi dan keandalan tinggi seperti industri, instrumentasi dan pencatatan data.

 

Solusi memori F-RAM Infineon menawarkan berbagai fitur, termasuk:
NoDelayTM Write menulis data ke sel memori pada kecepatan bus tanpa waktu setup
Produk memori ferroelektrik sangat tahan lama, dengan lebih dari 100 triliun siklus menulis, menjadikannya lebih tahan lama daripada memori gerbang terapung.
Konsumsi daya yang sangat rendah, menggunakan 200 kali lebih sedikit energi daripada EEPROM dan 3.000 kali lebih sedikit dari NOR flash.
Tahan radiasi, tidak terpengaruh oleh kesalahan lunak yang disebabkan oleh radiasi yang menyebabkan bit flips.

 

Untuk informasi lebih lanjut tentang produk memori ferroelektrik [Infineon] F-RAM atau untuk menanyakan harga sampel, silakan kunjungi situs web Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) untuk rincian persediaan.

Pub waktu : 2026-09-11 10:20:19 >> daftar berita
Rincian kontak
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Kontak Person: Mr. Sales Manager

Tel: 86-13410018555

Faks: 86-0755-83957753

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)