Blog Perusahaan Tentang Mingjiada Memasok Driver FET Setengah Jembatan Renesas, Driver Gerbang Setengah Jembatan, Menyediakan Driver Setengah Jembatan GaN/MOSFET Frekuensi Tinggi

Mingjiada Supply Renesas Half-Bridge FET Drivers, Half-Bridge Gate Drivers, Supply High-Frequency GaN/MOSFET Half-Bridge Drivers

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.— Pemasok jangka panjang driver FET half-bridge [Renesas] untuk desain catu daya berefisiensi tinggi, mencakup produk seperti driver gate half-bridge dan driver half-bridge GaN/MOSFET frekuensi tinggi. Mingjiada Electronics menyediakan stok berbagai model arus utama dan mendukung sampel batch kecil serta pesanan volume besar. Didukung oleh sistem logistik yang efisien, kami memastikan pengiriman produk yang cepat.

Driver FET Half-Bridge Renesas
Driver half-bridge (H-bridge) Renesas dapat menangani tegangan hingga 100V, menawarkan waktu naik dan turun gate drive terkemuka di industri, serta kinerja penundaan propagasi input-ke-output yang sangat baik. Mereka mendukung kontrol high-side/low-side independen atau input PWM, menyediakan opsi drive yang fleksibel untuk modul tahap daya berdasarkan MOSFET silikon dan gallium nitride.

RRW40120 – Driver gate half-bridge 600V untuk aplikasi switching high-side dan low-side
Detail: RRW40120 adalah driver gate frekuensi tinggi tegangan tinggi yang dirancang khusus untuk perangkat switching high-side (HS) dan low-side (LS), dan dioptimalkan untuk FET SuperGaN® Renesas dan MOSFET daya konvensional.
Model yang direkomendasikan Mingjiada Electronics: RRW40120-002

RRP68151 – Driver half-bridge GaN/MOSFET frekuensi tinggi dengan rating 100V, arus sink 2A, arus sumber 5.3A, dan catu daya 5V
Detail: RRP68151 adalah driver half-bridge frekuensi tinggi yang ditenagai 5V yang dioptimalkan untuk transistor efek medan gallium nitride mode peningkatan dan MOSFET saluran-N ambang rendah. Ini menyediakan arus sink 2A dan arus sumber 5.3A, mendukung node switching dengan tegangan DC maksimum 100V.
Model yang direkomendasikan Mingjiada Electronics: RRP68151-BH0, RRP68151-NH0

RRP68150 – Driver half-bridge GaN/MOSFET frekuensi tinggi 100 V, arus sink 2 A, arus sumber 5.3 A, ditenagai 5 V dengan perlindungan anti-short-circuit
Detail: RRP68150 adalah driver half-bridge frekuensi tinggi yang ditenagai 5 V, dioptimalkan untuk FET GaN mode peningkatan dan MOSFET saluran-N ambang rendah. Ini menyediakan kemampuan arus sink 2A dan arus sumber 5.3A, mendukung node switching dengan tegangan DC maksimum 100V. Input PWM driver kompatibel dengan logika CMOS 3.3V/5V dan dapat menahan tegangan hingga 14V; karakteristik ini independen dari tegangan catu daya VDD.
Model yang direkomendasikan Mingjiada Electronics: RRP68150-BH0, RRP68150-NH0

RRP68145 – Driver half-bridge frekuensi tinggi 100 V, arus sink 3 A, arus sumber 4 A, dengan input PWM tiga tingkat dan dead time yang dapat disesuaikan
Detail: RRP68145 adalah driver half-bridge MOSFET frekuensi tinggi 100 V, arus sink 3 A, arus sumber 4 A. RRP68145 memiliki input PWM tiga tingkat dengan dead-time yang dapat diprogram. Ia beroperasi pada rentang tegangan catu daya yang luas dari 6V hingga 18V dan menggabungkan dioda bootstrap high-side, memungkinkannya untuk menggerakkan transistor NMOS high-side dan low-side dalam aplikasi half-bridge 100V.
Model yang direkomendasikan Mingjiada Electronics: RRP68145-NH0

ISL78424 – Pin 100V, puncak 4A, driver half-bridge dengan input PWM tunggal dan kontrol dead-time adaptif
ISL78424 adalah driver transistor efek medan NMOS half-bridge frekuensi tinggi tegangan tinggi kelas otomotif (AEC-Q100 Grade 1) yang dirancang untuk menggerakkan gate topologi half-bridge hingga 70V. Seri driver half-bridge ini memiliki arus gate drive puncak 3A arus sumber dan 4A arus drain.
Model yang direkomendasikan Mingjiada Electronics: ISL78424AVEZ, ISL78424AVEZ-T, ISL78424AVEZ-T7A

Untuk informasi lebih lanjut tentang driver FET half-bridge Renesas atau untuk menanyakan harga sampel, silakan kunjungi situs web Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) untuk detail pasokan lebih lanjut.