Blog Perusahaan Tentang Mingjiada Supply ROHM Gallium Nitride Power Devices, Supply GaN HEMT dan GaN HEMT Power Stage IC

Mingjiada Memasok Perangkat Listrik ROHM Gallium Nitride, Memasok GaN HEMT Dan GaN HEMT Power Stage IC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co, Ltd.— Pemasok jangka panjang perangkat daya GaN [ROHM], termasuk: GaN HEMT, IC tahap daya GaN HEMT, driver gerbang GaN, dan produk lainnya. Mingjiada Electronics menyediakan berbagai model umum dan mendukung sampel dalam jumlah kecil dan pesanan dalam jumlah besar. Didukung oleh sistem logistik yang efisien, kami memastikan pengiriman produk yang cepat.

I. GaN HEMT
1. HEMT GaN 150V
ROHM telah berhasil meningkatkan tegangan pengenal sumber gerbang maksimum menjadi 8V, menjadikan produk ini ideal untuk berbagai peralatan industri, termasuk stasiun pangkalan dan pusat data.
2. HEMT GaN 650V
Sebagai perangkat GaN dengan rating 650V, perangkat ini mencapai Figure of Merit (FOM) terdepan di industri, membantu meningkatkan efisiensi pasokan listrik sekaligus mengurangi kerugian peralihan secara signifikan, sehingga memungkinkan peningkatan efisiensi lebih lanjut di berbagai sistem pasokan listrik.
Model yang direkomendasikan oleh Mingjiada Electronics:
GNP3120TJ-Z
GNP3070TEC-Z
GNP3050TEC-Z
GNP3040TEC-Z
GNP3018TF-Z

II. IC Tahap Daya GaN HEMT
GaN HEMT Power Stage IC dari ROHM memberikan solusi ideal untuk berbagai sistem elektronika daya yang memerlukan kepadatan dan efisiensi daya tinggi. Produk-produk ini mengintegrasikan perangkat daya GaN HEMT generasi berikutnya dengan driver gerbang yang dioptimalkan untuk memaksimalkan kinerja HEMT GaN. Mereka mendukung rentang tegangan input yang luas dari 2,5 V hingga 30 V dan dapat digunakan bersama dengan berbagai IC pengontrol. Fitur dan keunggulan ini memungkinkannya menggantikan sakelar daya diskrit tradisional seperti MOSFET super-junction.
Model Rekomendasi Elektronik Mingjiada:
BM3G115MUV-LB
BM3G107MUV-LB
BM3G005MUV-LB

AKU AKU AKU. Driver Gerbang untuk GaN
Berkat kemampuan peralihan berkecepatan tinggi, perangkat GaN ideal untuk aplikasi hemat energi dan miniaturisasi.
Driver gerbang GaN ROHM dirancang untuk memaksimalkan kinerja peralihan kecepatan tinggi dari perangkat ini dan menyederhanakan desain dengan mencapai penundaan propagasi pendek dan lebar pulsa yang sempit.
Model yang direkomendasikan oleh Mingjiada Electronics:
BM6GD11BFJ-LB – tegangan isolasi 2500 Vrms, driver gerbang 1 saluran, menyediakan isolasi arus untuk HEMT GaN

Untuk informasi lebih lanjut tentang perangkat listrik GaN [ROHM] atau untuk menanyakan harga sampel, silakan kunjungi situs web Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) untuk rincian pasokan lebih lanjut.