Blog Perusahaan Tentang Mingjiada Memasok Tahapan Daya TI GaN, Memasok Daya Gallium Nitrida-FET

Mingjiada Memasok Tahapan Daya TI GaN, Memasok Daya Gallium Nitrida-FET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co, Ltd.— pemasok lama produk pembangkit listrik [TI] gallium nitride (GaN), yang mencakup solusi dengan driver gerbang terintegrasi dan perangkat listrik GaN. Mingjiada Electronics menyediakan berbagai model umum dan mendukung sampel dalam jumlah kecil dan pesanan dalam jumlah besar. Didukung oleh sistem logistik yang efisien, kami memastikan pengiriman produk yang cepat.

[TI] Tahap Daya Gallium Nitrida (GaN).
Ikhtisar: Seri FET gallium nitride (GaN) TI menghadirkan driver gerbang terintegrasi dan perangkat daya GaN, memberikan solusi GaN efisien yang menawarkan keandalan dan keunggulan biaya di seluruh siklus hidup produk. Transistor GaN beralih jauh lebih cepat daripada MOSFET silikon, sehingga memungkinkan kerugian peralihan yang lebih rendah. Tahapan daya GaN TI dapat digunakan dalam berbagai aplikasi, termasuk telekomunikasi, server, driver motor dan adaptor laptop, serta pengisi daya terpasang untuk kendaraan listrik.

Keunggulan Teknologi GaN TI
Kecepatan perpindahan lebih cepat dibandingkan GaN FET diskrit
- FET GaN TI dengan driver terintegrasi mencapai kecepatan peralihan 150 V/ns. Dikombinasikan dengan kemasan induktansi rendah, kecepatan peralihan ini mengurangi kerugian, menghasilkan peralihan yang bersih, dan meminimalkan dering.
Komponen magnetik lebih kecil dan kepadatan daya lebih tinggi
- Perangkat GaN TI, dengan kecepatan peralihan yang lebih cepat, membantu Anda mencapai frekuensi peralihan melebihi 500 kHz, sehingga mengurangi ukuran komponen magnetik hingga 60 persen, meningkatkan kinerja dan menurunkan biaya sistem.
Dibangun untuk keandalan
- Perangkat GaN TI menggunakan proses GaN berbasis silikon dan telah menjalani lebih dari 80 juta jam pengujian keandalan; dikombinasikan dengan fitur perlindungan, mereka dirancang untuk menjamin keamanan sistem tegangan tinggi.

Mingjiada Electronics adalah pemasok jangka panjang perangkat listrik [TI] gallium nitride (GaN), termasuk namun tidak terbatas pada:
LMG2652H – 650V 140mΩ GaN power FET setengah jembatan dengan driver (nomor komponen: LMG2652HRFBR)
LMG2610 – setengah jembatan FET daya GaN 650V dengan fungsi driver, perlindungan, dan penginderaan arus terintegrasi, cocok untuk ACF (nomor komponen: LMG2610RRGR, LMG2610RRGT)
LMG3622 – FET daya GaN 700V 106mΩ dengan driver dan perlindungan terintegrasi (Nomor komponen: LMG3622REQR)
LMG3624 – 700V, 155mΩ GaN power FET dengan driver terintegrasi, perlindungan dan penginderaan arus (Nomor komponen yang tersedia: LMG3624REQR, LMG3624YREQR, LMG3624ZREQR)
LMG2640 – 650V, 105mΩ GaN power FET half-bridge dengan fungsi driver, proteksi dan penginderaan arus terintegrasi (nomor komponen: LMG2640RRGR)
LMG2650 – 650V, 95mΩ GaN power FET half-bridge dengan fungsi driver, proteksi dan penginderaan arus terintegrasi (nomor komponen: LMG2650RFBR)
LMG5200 – Tahap daya setengah jembatan GaN 80V (nomor komponen: LMG5200MOFR, LMG5200MOFT)
LMG3422R050 – 600V, 50mΩ GaN FET dengan driver terintegrasi, perlindungan dan pelaporan suhu (Nomor komponen: LMG3422R050RQZR, LMG3422R050RQZT)
LMG3650R070 – 650V 70mΩ GaN FET dengan driver dan perlindungan terintegrasi, dalam paket TOLL (Nomor komponen: LMG3650R070KLAR)

Untuk rincian lebih lanjut mengenai produk tahap daya galium nitrida (GaN) TI atau untuk menanyakan harga sampel, silakan kunjungi situs web Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) untuk informasi pasokan lebih lanjut.