Tinggalkan pesan
Kami akan segera menghubungi Anda kembali!
Pesan Anda harus antara 20-3.000 karakter!
Silakan periksa email Anda!
Lebih banyak informasi memfasilitasi komunikasi yang lebih baik.
Berhasil dikirim!
Kami akan segera menghubungi Anda kembali!
Tinggalkan pesan
Kami akan segera menghubungi Anda kembali!
Pesan Anda harus antara 20-3.000 karakter!
Silakan periksa email Anda!
—— Nishikawa dari Jepang
—— Luis Dari Amerika Serikat
—— Richardg dari Jerman
—— Tim dari Malaysia
—— Vincent dari Rusia
—— Nishikawa dari Jepang
—— Sam dari Amerika Serikat
—— Lina dari Jerman
DihidupkanNXH020P120MNF1PGSilicon Carbide MOSFET Half Bridge Module
Deskripsi produkNXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PGadalah modul SiC MOSFET yang berisi setengah jembatan SiC MOSFET 20 mohm 1200V dan termistor NTC dalam modul F1.
SpesifikasiNXH020P120MNF1PG
Teknologi: SiC
Gaya pemasangan: Tekan Pas
Paket/Kasus: Modul
Polaritas Transistor: Saluran N
Vds - Tegangan pemisahan sumber pembuangan: 1.2 kV
Id - Arus pembuangan terus menerus: 51 A
Rds On - Resistensi sumber pembuangan: 30 mOhms
Vgs - Tegangan sumber gerbang: - 15 V, + 25 V
Vgs th - Tegangan ambang sumber gerbang: 1.8 V
Suhu operasi minimum: - 40 C
Suhu operasi maksimum: + 150 C
Pd - Pembuangan daya: 211 W
Waktu jatuh: 8.4 ns
Waktu naik: 8.8 ns
Waktu Penundaan Tipikal: 8.4 ns
Waktu penundaan yang khas untuk mematikan: 105 ns
Waktu penundaan menyala yang khas: 44 ns
Fitur dariNXH020P120MNF1PG
20 m/1200 V SiC MOSFET Half Bridge
Thermistor
Opsi dengan bahan antarmuka termal (TIM) yang telah diterapkan sebelumnya dan tanpa TIM yang telah diterapkan sebelumnya
Pencet-fit Pin
Produk akhir dariNXH020P120MNF1PG
Pengisi daya kendaraan listrik
Sistem penyimpanan energi
Solar Inverter 3-fase
Pasokan Listrik yang Tidak Terputus
Aplikasi dariNXH020P120MNF1PG
Inverter surya
Pasokan Listrik yang Tidak Terputus
Stasiun Pengisian Kendaraan Listrik
Kekuatan Industri
Diagram skematis dariNXH020P120MNF1PG