Blog Perusahaan Tentang Daur ulang ST Otomotif Power Discretes:Power MOSFET,IGBT Otomotif,SiC MOSFET Otomotif

Daur ulang ST Otomotif Power Discretes:Power MOSFET,IGBT Otomotif,SiC MOSFET Otomotif

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Dengan kekuatan keuangan yang kuat dan jaringan layanan global, kami menyediakan pelanggan dengan efisien, aman,dan layanan daur ulang komponen elektronik yang sesuai.

Kategori daur ulang:Kami mendaur ulang berbagai chip IC, sensor, modul Ethernet, modul IGBT, komponen kecerdasan buatan AI, mikrokontroler, komponen IoT, dan semua komponen elektronik lainnya.

Proses daur ulang:

1. Konsultasi: Jika Anda memiliki persediaan komponen elektronik yang perlu dibuang, Anda dapat mengirim email yang mencantumkan IC / modul yang ingin Anda jual.

2. Daur ulang di tempat: Perusahaan kami akan mengirim staf profesional untuk mengumpulkan persediaan komponen elektronik Anda di tempat dan melakukan pengujian awal dan klasifikasi komponen.

3Kuotasi: Perusahaan akan memberikan harga daur ulang yang sesuai berdasarkan faktor-faktor seperti jenis, jumlah, dan kualitas komponen daur ulang.

4Penyelesaian: Setelah kedua belah pihak telah mencapai kesepakatan, metode transaksi tertentu dapat dinegosiasikan untuk pengiriman.

ST MOSFET Daya Otomotif

MOSFET tenaga mobil STMicroelectronics, terkenal dengan kinerja switching dan keandalan yang sangat baik,digunakan secara luas dalam sistem elektronik otomotif kritis seperti pengisi daya on-board (OBC), sistem manajemen baterai (BMS), dan konverter DC-DC.

ST Modul IGBT Otomotif

Modul IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) berfungsi sebagai "hati" sistem kontrol kendaraan energi baru,memainkan peran yang tak tergantikan dalam fungsi penting seperti penggerak motor dan pemulihan energi.

ST Otomotif SiC MOSFET

MOSFET silikon karbida (SiC), sebagai perwakilan bahan semikonduktor generasi ketiga, dengan cepat menembus bidang aplikasi utama seperti inverter drive utama, sistem pengisian internal,dan stasiun pengisian di kendaraan energi baru, berkat keunggulan resistensi tegangan tinggi, kerugian rendah, dan karakteristik frekuensi tinggi.