Rumah Berita

Blog Perusahaan Tentang Memori DRAM SAMSUNG K3KL3L30DM-BGCU 128Gb IC Memori Akses Acak Dinamis Daya Rendah

Semua produk

Chip Sirkuit Terpadu
(20578)

IC BT
(552)

Modul IGBT Otomotif
(2186)

MCU Mikrokontroler
(14472)

GaN IC
(150)

Chip Prosesor AI
(1224)

Larik Gerbang yang Dapat Diprogram Lapangan
(6738)

IC Ethernet
(1041)

Konektor
(3480)

Chip IC Memori
(2503)

Sensor IC
(2434)

chip IoT
(239)

modul 5G
(134)

WiFi 6 Chip
(150)

Chip IC iPhone
(55)

Modul Komunikasi Nirkabel
(3473)

Termostat Pengontrol Suhu
(8)

Sertifikasi

Ulasan pelanggan

Dikirim sangat cepat, dan sangat membantu, Baru dan Asli, akan sangat merekomendasikan.

—— Nishikawa dari Jepang

Layanan profesional dan cepat, harga barang yang dapat diterima.komunikasi bagus, produk sesuai harapan.Saya sangat merekomendasikan pemasok ini.

—— Luis Dari Amerika Serikat

Kualitas tinggi dan kinerja yang dapat diandalkan: "Komponen elektronik yang kami terima dari [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] berkualitas tinggi dan telah menunjukkan kinerja yang dapat diandalkan dalam perangkat kami".

—— Richardg dari Jerman

Harga yang kompetitif: Harga yang ditawarkan oleh sangat kompetitif, menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk kebutuhan pengadaan kami.

—— Tim dari Malaysia

Mereka selalu responsif dan membantu, memastikan kebutuhan kami dipenuhi dengan cepat.

—— Vincent dari Rusia

Harga bagus, pengiriman cepat, dan layanan pelanggan terbaik.

—— Nishikawa dari Jepang

Komponen yang handal, pengiriman cepat, dan dukungan yang sangat baik.

—— Sam dari Amerika Serikat

Bagian berkualitas tinggi dan proses pemesanan yang mulus. sangat merekomendasikan ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd untuk setiap proyek elektronik!

—— Lina dari Jerman

I 'm Online Chat Now

perusahaan Blog

Memori DRAM SAMSUNG K3KL3L30DM-BGCU 128Gb IC Memori Akses Acak Dinamis Daya Rendah

SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb Low-Power Dynamic Random Access Memory IC

berita perusahaan terbaru tentang Memori DRAM SAMSUNG K3KL3L30DM-BGCU 128Gb IC Memori Akses Acak Dinamis Daya Rendah 0

Deskripsi

K3KL3L30DM-BGCU adalah memori akses acak dinamis daya rendah 128 Gb untuk perangkat seluler dan kendaraan.

Dengan kecepatan 1,3 kali lebih cepat dari generasi sebelumnya dan efisiensi energi 20% lebih baik,premium low-power DRAM LPDDR5X melampaui mobile - memimpin pasar DRAM low-power lebih jauh dari sebelumnya untuk memberdayakan PC berkinerja tinggi, server, dan kendaraan dengan cara yang baru.

Spesifikasi
Densitas: 128 Gb
Organisasi: x64
Kecepatan: 8533 Mbps
Tegangan:1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
Suhu:-25 ~ 85 °C
Paket: 496-FBGA

Pub waktu : 2024-06-20 10:53:11 >> daftar berita

Rincian kontak

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Kontak Person: Mr. Sales Manager

Tel: 86-13410018555

Faks: 86-0755-83957753

Blog Perusahaan Tentang Memori DRAM SAMSUNG K3KL3L30DM-BGCU 128Gb IC Memori Akses Acak Dinamis Daya Rendah

Chip Sirkuit Terpadu

IC BT

Modul IGBT Otomotif

MCU Mikrokontroler

GaN IC

Chip Prosesor AI

Larik Gerbang yang Dapat Diprogram Lapangan

IC Ethernet

Konektor

Chip IC Memori

Sensor IC

chip IoT

modul 5G

WiFi 6 Chip

Chip IC iPhone

Modul Komunikasi Nirkabel

Termostat Pengontrol Suhu

Chip Sirkuit Terpadu

VN7008AJTR Chip Sirkuit Terpadu Driver Sisi Tinggi 96A Sakelar Sisi Tinggi PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrated Circuit Chip iCMOSTM Switch 4.7Ohm Industrial CMOS Analog Switch

LT6700CS6-1 Integrated Circuit Chip Micropower Low Voltage Dual Comparator Dengan Referensi 400mV

IC Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY Transceiver