Tinggalkan pesan
Kami akan segera menghubungi Anda kembali!
Pesan Anda harus antara 20-3.000 karakter!
Silakan periksa email Anda!
Lebih banyak informasi memfasilitasi komunikasi yang lebih baik.
Berhasil dikirim!
Kami akan segera menghubungi Anda kembali!
Tinggalkan pesan
Kami akan segera menghubungi Anda kembali!
Pesan Anda harus antara 20-3.000 karakter!
Silakan periksa email Anda!
—— Nishikawa dari Jepang
—— Luis Dari Amerika Serikat
—— Richardg dari Jerman
—— Tim dari Malaysia
—— Vincent dari Rusia
—— Nishikawa dari Jepang
—— Sam dari Amerika Serikat
—— Lina dari Jerman
Starpower DG40H12T2 1200V 40A Single Phase Half Bridge IGBT Power Transistor
Deskripsi Produk
DG40H12T2 adalah IGBT Power Discrete memberikan kerugian konduktivitas yang sangat rendah serta kehilangan switching yang rendah.
Fitur
Low VCE (sat) Trench IGBT
Kerugian switching yang rendah
Suhu persimpangan maksimum 175°C
VCE (sat) dengan koefisien suhu positif
Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD
Aplikasi Tipikal
Tenaga Surya
Mesin pengelasan elektronik
Pasokan listrik tanpa gangguan