Blog Perusahaan Tentang Pasokan Infineon BSZ075N08NS5 80V 40A OptiMOSTM 5 N-Channel Power MOSFET Transistor

Mingjiada Electronics Supply InfineonBSZ075N08NS580V 40AAku tidak tahu. OptiMOSTM 5 N-Channel Power MOSFET Transistor

[Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.]Pasokan jangka panjang (Infineon)BSZ075N08NS580V, OptiMOSTM 5 N-Channel Power MOSFET Transistor, Di bawah ini adalah informasi produk untuk transistor BSZ075N08NS5:

Nomor Bagian:BSZ075N08NS5

Paket: PG-TSDSON-8

Tipe: Transistor MOSFET Daya N-Channel

Rincian Produk: BSZ075N08NS5 Teknologi MOSFET bertenaga terdepan di industri untuk aplikasi telekomunikasi dan server dengan OptiMOSTM 5 80V dalam paket S3O8.

BSZ075N08NS5adalah transistor MOSFET N-channel dengan teknologi OptiMOSTM 5 untuk aplikasi efisiensi tinggi dan kepadatan daya tinggi.

Infineon OptiMOSTM 5 MOSFET tenaga industri 80V BSZ075N08NS5 menawarkan pengurangan RDS ((on) sebesar 43% dibandingkan dengan generasi sebelumnya dan sangat cocok untuk frekuensi switching yang tinggi.Perangkat dari keluarga ini terutama dirancang untuk rectifikasi sinkron di telekomunikasi dan server catu dayaSelain itu, mereka juga dapat digunakan dalam aplikasi industri lainnya seperti tenaga surya, drive tegangan rendah dan adaptor.

Atribut produk dari BSZ075N08NS5

Seri: OptiMOSTM
Jenis FET: Saluran N
Teknologi: MOSFET (Metal Oxide)
Tegangan pembuangan ke sumber (Vdss): 80 V
Arus - aliran terus menerus (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Tegangan drive (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs ((th) (Max) @ Id: 3,8V @ 36μA
Pengisian gerbang (Qg) (Max) @ Vgs: 29,5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Kapasitas Masuk (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Penghambatan Daya (Max): 69W (Tc)
Suhu operasi: -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipe pemasangan: Pemasangan permukaan
Paket Perangkat Pemasok: PG-TSDSON-8-26
Paket / Kasus: 8-PowerTDFN

BSZ075N08NS5Simplifikasi Fitur

Dioptimalkan untuk rectifikasi sinkron
Ideal untuk beralih frekuensi tinggi
Pengurangan kapasitas output hingga 44 %
RDS ((on) pengurangan hingga 43 % dari generasi sebelumnya

Manfaat dari BSZ075N08NS5

Efisiensi sistem tertinggi
Mengurangi kehilangan switching dan konduksi
Lebih sedikit paralel yang dibutuhkan
Peningkatan kepadatan daya
Overshoot tegangan rendah

Aplikasi dari BSZ075N08NS5
Konverter DC-DC 48 V sampai 12 V
Solusi sistem robot industri untuk industri 4.0
Perangkat mobile dan smartphone
Semikonduktor mutakhir yang memungkinkan ekosistem perawatan kesehatan digital dan ultra-terhubung baru
Infrastruktur telekomunikasi

Paket Foto dari BSZ075N08NS5

InfineonBSZ075N08NS5adalah transistor MOSFET berkinerja tinggi untuk berbagai aplikasi efisiensi tinggi dan kepadatan daya tinggi, dengan kekuatan khusus dalam manajemen daya dan elektronik otomotif.

[Mingjiada Electronics] telah memasok InfineonBSZ075N08NS5N-channel MOSFET transistor untuk waktu yang lama, untuk informasi lebih lanjut tentang BSZ075N08NS5, selamat datang untuk memeriksa situs resmi Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/)).