Blog Perusahaan Tentang Suplai Produk GaN Infineon: Sakelar Dua Arah GaN, Pengontrol GaN, Cerdas GaN, Transistor GaN

Supply Infineon GaN Product:GaN Bidirectional Switch,GaN Controller,GaN Smart,GaN Transistor

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,sebagai pemasok komponen elektronik terkemuka di Cina,memanfaatkan jaringan rantai pasokan yang kuat dan kemampuan layanan industri profesional untuk menyediakan pelanggan dengan produk asli yang stabil dan andal.

Produk utama meliputi:Chip 5G, IC energi baru, IC IoT, IC Bluetooth, IC jaringan kendaraan, IC kelas otomotif, IC komunikasi, IC kecerdasan buatan, IC memori, IC sensor, IC mikrokontroler,IC transceiver, Ethernet IC, chip WiFi, modul komunikasi nirkabel, konektor, dan komponen elektronik lainnya.

Perusahaan memiliki keuntungan utama berikut dalam penawaran:

Pengadaan langsung dari produsen asli dan jaminan kualitas: Semua produk dibeli melalui saluran yang sah untuk memastikan 100% produk asli asli,dengan nomor seri produsen asli lengkap yang diberikan.

Pengadaan yang dapat diskalakan dan pengoptimalan biaya: Melalui kerja sama yang mendalam dengan beberapa merek terkenal dan keuntungan dari pengadaan skala besar,perusahaan dapat secara signifikan mengurangi biaya keseluruhan komponen elektronik, menawarkan harga yang sangat kompetitif kepada pelanggan.

Kemampuan pengiriman yang fleksibel dan cepat: Gudang pusat Shenzhen dan gudang bea cukai Hong Kong beroperasi secara bersamaan, mendukung pengiriman ekspres 48 jam,dengan pesanan mendesak yang dapat dikirim dalam 24 jam.

Gallium Nitride (GaN)

CoolGaNTM ¢ Perangkat diskrit dan solusi terintegrasi yang memberikan efisiensi dan kepadatan daya tertinggi untuk aplikasi elektronik konsumen, industri, dan otomotif.

Produk dan Aplikasi Infineon GaN Bidirectional Switch

Switch bidirectional (BDS) dalam seri CoolGaNTM Infineon mewakili arah inovasi yang signifikan untuk teknologi GaN dalam aplikasi konversi daya.Perangkat switch bidirectional 40V Infineon diproduksi menggunakan teknologi proses GaN-on-Si yang canggih, mengintegrasikan dua GaN HEMT berkinerja tinggi (transistor mobilitas elektron tinggi) untuk memungkinkan kontrol arus bidirectional dalam satu paket,mempermudah desain sirkuit secara signifikan dan meningkatkan keandalan sistemPerangkat-perangkat ini memiliki ketahanan yang sangat rendah (nilai khas dari 1,1mΩ hingga 2,3mΩ) dan kecepatan switching yang sangat cepat,Mendukung frekuensi operasi hingga 2MHz5 hingga 10 kali kinerja MOSFET berbasis silikon tradisional yang membuatnya sangat cocok untuk aplikasi yang membutuhkan frekuensi tinggi, operasi efisiensi tinggi.

Keuntungan teknologi inti dari switch bidirectional GaN terletak pada tidak adanya karakteristik pemulihan kebalikan dioda tubuh.Perangkat GaN tidak menghasilkan arus pemulihan terbalik selama konduksi terbalik, secara mendasar menghilangkan kerugian switching dan masalah EMI yang disebabkan oleh reverse recovery diode tubuh di MOSFET tradisional. Infineon's CoolGaN™ bidirectional switches also employ innovative gate drive technology to ensure device stability and reliability under high-frequency switching conditions while simplifying drive circuit designFitur-fitur ini memungkinkan switch GaN bidirectional untuk bekerja dengan sangat baik dalam aplikasi yang membutuhkan aliran energi bidirectional, seperti rectifikasi sinkron, motor drive H-bridge,dan pengisian nirkabel.

Infineon GaN Controller dan Smart Device Solutions

Garis produk pengontrol GaN Infineon mencakup driver gerbang mandiri dan modul daya cerdas (IPM) yang sangat terintegrasi,yang dioptimalkan untuk karakteristik unik perangkat daya GaN untuk sepenuhnya memanfaatkan frekuensi tinggi, keuntungan efisiensi tinggi dari teknologi GaN. Terutama, IC daya cerdas seperti NV6133A, yang mengintegrasikan switch dan driver GaN,menggunakan teknologi GaNSenseTM untuk memungkinkan deteksi arus tanpa kehilangan dan fungsi perlindungan yang komprehensif, secara signifikan menyederhanakan desain sistem dan meningkatkan keandalan.

GaNFast TM power IC adalah seri andalan dalam lini produk pengontrol GaN Infineon.menawarkan program turn-on dV/dt, dan memberikan 200V/ns dV/dt kekebalan.dengan resistensi on hanya 330mΩ dan dukungan untuk frekuensi operasi hingga 2MHzTeknologi GaNSenseTM yang terintegrasi menyediakan fitur cerdas seperti perlindungan sirkuit pendek, perlindungan suhu tinggi, dan modus siaga arus rendah yang otonom.menghilangkan kerugian daya dari resistor pengambilan sampel dalam desain tradisional dan meningkatkan efisiensi dan keandalan sistem lebih lanjut.

Seri transistor GaN Infineon

Garis produk transistor GaN Infineon mencakup berbagai persyaratan aplikasi dari tegangan menengah hingga tinggi, termasuk seri transistor GaN lengkap seperti CoolGaNTM G3 (tegangan menengah),CoolGaNTM G5 (tegangan tinggi), dan seri IGT industri. Perangkat ini diproduksi menggunakan proses wafer 8-inci canggih, secara signifikan meningkatkan kepadatan daya, frekuensi switching, dan kinerja manajemen termal,membuat mereka cocok untuk aplikasi mutakhir dari elektronik konsumen hingga catu daya industri.

Seri CoolGaNTM G3 dioptimalkan untuk aplikasi tegangan menengah, dengan rentang tegangan dari 40V hingga 120V.yang kompatibel dengan pin MOSFET berbasis silikon tradisional, memudahkan migrasi desain bagi pelanggan. Perangkat ini memiliki ketahanan yang sangat rendah (1,1mΩ sampai 2,3mΩ) dan stabilitas siklus termal yang sangat baik,membuat mereka sangat cocok untuk aplikasi switching frekuensi tinggiDalam desain pengisian cepat USB-C, transistor GaN seri G3 mencapai efisiensi lebih dari 95% sambil mengurangi ukuran catu daya lebih dari 50%;karakteristik frekuensi tinggi mereka membantu mengurangi ukuran komponen filter dan meningkatkan control bandwidth.

Seri CoolGaNTM G5 adalah produk unggulan Infineon untuk aplikasi tegangan tinggi, yang beroperasi pada tegangan hingga 650V.mencapai peningkatan efisiensi 3% sampai 5% dibandingkan generasi sebelumnyaTransistor GaN seri G5 memiliki kerugian switching yang sangat rendah, mendukung frekuensi operasi dari ratusan kHz hingga MHz,sementara menawarkan kebal dv / dt yang sangat baik dan kemampuan bertahan sirkuit pendekDalam aplikasi inverter fotovoltaik, perangkat G5 mencapai efisiensi konversi melebihi 99%, secara signifikan meningkatkan output energi sistem pembangkit listrik.Dalam catu daya server dan pengisi daya kendaraan listrik (OBC), kepadatan daya yang tinggi memungkinkan desain sistem yang lebih kompak.