Blog Perusahaan Tentang Supply Infineon IQE220N15NM5 OptiMOSTM 5 Daya Tegangan Rendah MOSFET 150 V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd memasok Infineon IQE220N15NM5 OptiMOSTM 5 Low Voltage Power MOSFET 150 V dalam paket sumber drop PQFN 3.3x3.3, Akuisisi MOSFET Daya N-Channel

Descripción

IQE220N15NM5 adalah bagian dari seri Source-Down dengan RDS ((on) 22 mOhm. Teknologi Source-Down menggunakan chip silikon flip-flop yang terbalik di dalam komponen.

Teknologi baru ini tersedia dengan dua jejak yang berbeda: gerbang standar dan gerbang tengah (dioptimalkan untuk paralelisasi).

Fitur

• RDS ((on) dari 22 mOhm
• RthJC yang lebih baik dibandingkan dengan paket PQFN
• Jarak gerbang standar tersedia
• Kemungkinan tata letak yang lebih baik

Manfaat

• Kepadatan daya dan kinerja tertinggi
• Kinerja termal yang sangat baik
• Penggunaan ruang yang efisien
• Gerbang standar untuk pemasangan tata letak yang mudah
• Peningkatan kerugian PCB
• Parasit yang berkurang

Aplikasi Potensial

• Mengemudi
• SMPS
• Server
• Telekomunikasi
• Pengelolaan Baterai

Home URL:http://www.hkmjd.com/