Blog Perusahaan Tentang Seri Seri Modul IGBT Microchip Suplai: IGBT Trench 3, IGBT Trench 4, IGBT Trench 5, IGBT Trench 7

Seri Modul IGBT Microchip: IGBT Trench 3, IGBT Trench 4, IGBT Trench 5, IGBT Trench 7

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,sebagai distributor komponen elektronik terkemuka di China, mematuhi prinsip ‘melayani pelanggan dan menguntungkan pelanggan,’ menyediakan komponen elektronik berkualitas tinggi dan beragam kepada kliennya.

Produk utama meliputi:chip 5G, IC energi baru, IC IoT, IC Bluetooth, IC jaringan kendaraan, IC kelas otomotif, IC komunikasi, IC kecerdasan buatan, dll. Selain itu, perusahaan menyediakan IC memori, IC sensor, IC mikrokontroler, IC transceiver, IC Ethernet, chip WiFi, modul komunikasi nirkabel, konektor, dan komponen elektronik lainnya.

Keunggulan Pasokan

1. Keaslian Terjamin

Semua produk bersumber dari saluran resmi, disertai dengan laporan penelusuran kualitas lengkap dan sertifikasi produsen asli, memastikan pelanggan menerima produk 100% asli.

2. Persediaan Melimpah

Perusahaan memiliki lebih dari 2 juta model inventaris, memastikan stok yang cukup untuk mendukung kebutuhan pelanggan mulai dari produksi percontohan R&D hingga produksi massal.

3. Harga Kompetitif

Memanfaatkan keuntungan pengadaan skala besar, kami menawarkan harga di bawah harga pasar dan menerapkan strategi penetapan harga bertingkat berdasarkan volume pembelian. Mitra jangka panjang juga dapat menikmati layanan penguncian harga untuk mengontrol biaya pengadaan secara efektif.

4. Layanan Pengiriman Cepat

Pengiriman 24 jam: Pemrosesan cepat pesanan standar

Respons darurat 4 jam: Layanan dipercepat khusus

Cakupan pengiriman hari berikutnya: Pengiriman cepat ke wilayah utama

5. Model Pengadaan Fleksibel

Pengadaan batch kecil: Pesanan minimum 1 buah untuk memenuhi kebutuhan R&D

Pesanan massal: Dukungan untuk VMI (Vendor-Managed Inventory) dan model kolaboratif lainnya

Perjanjian jangka panjang: Memberikan jaminan pasokan yang stabil

Modul IGBT Trench 3

Modul IGBT Trench 3 mewakili hasil matang dari teknologi gerbang parit awal.

Dari perspektif arsitektur teknis, Modul IGBT Trench 3 mengadopsi desain gerbang parit dasar, mencapai karakteristik konduksi yang unggul dibandingkan IGBT gerbang planar melalui struktur gerbang vertikal. Parameter tipikalnya meliputi: tegangan konduksi (Vce(sat)) mulai dari 1,8 hingga 2,2 V, frekuensi switching hingga 20 kHz, dan suhu operasi maksimum 150°C. Meskipun metrik kinerja ini mungkin tidak menonjol menurut standar saat ini, mereka tetap sepenuhnya memadai untuk sebagian besar aplikasi frekuensi variabel industri.

Modul IGBT Trench 4 dan Trench 5

Modul IGBT Trench 4 dan Trench 5 mewakili evolusi signifikan dari teknologi gerbang parit, menawarkan peningkatan yang signifikan dalam parameter kinerja dan ruang lingkup aplikasi dibandingkan dengan modul Trench 3.

Modul IGBT Trench 4 memperkenalkan teknologi Field Stop, struktur inovatif yang secara signifikan mengurangi ketebalan chip, yang mengarah pada beberapa peningkatan kinerja: tegangan on-state (Vce(sat)) dikurangi menjadi rentang 1,5–1,8 V, sekitar 15% lebih rendah dari produk Trench 3; frekuensi switching telah ditingkatkan menjadi 30-40kHz, memperluas kemungkinan untuk aplikasi frekuensi tinggi; sambil mempertahankan kemampuan tahan hubung singkat yang sangat baik untuk memastikan keandalan sistem.

Sebagai tonggak lain dalam evolusi teknologi, modul IGBT Trench 5 selanjutnya mengoptimalkan teknologi kontrol pembawa berdasarkan Trench 4, mencapai keseimbangan optimal antara kehilangan konduksi dan kehilangan switching. Fitur teknis utamanya meliputi: mengadopsi struktur parit halus untuk meningkatkan kepadatan sel; mengoptimalkan desain lapisan buffer untuk meningkatkan karakteristik switching; dan menggunakan proses kontrol umur canggih untuk secara tepat mengatur konsentrasi pembawa minoritas. Kemajuan teknologi ini telah mengurangi total kehilangan modul Trench 5 sebesar tambahan 10-15% dibandingkan dengan modul Trench 4, mencapai efisiensi lebih dari 98%, menjadikannya pilihan ideal untuk aplikasi efisiensi tinggi.

Modul IGBT Trench 7

Modul IGBT Trench 7 mewakili teknologi gerbang parit tercanggih saat ini, mengintegrasikan beberapa konsep desain dan proses manufaktur mutakhir.

Dari perspektif teknis, inovasi modul IGBT Trench 7 terutama tercermin dalam tiga aspek: pertama, adopsi desain mikro-parit selanjutnya mengurangi ukuran sel, secara signifikan meningkatkan kepadatan parit dan secara nyata menurunkan resistansi konduksi; Kedua, pengenalan teknologi lapisan penyimpanan pembawa canggih mengoptimalkan distribusi pembawa dalam keadaan aktif, mencapai kerugian konduksi yang lebih rendah; Ketiga, struktur gerbang dan proses pasivasi yang ditingkatkan mengurangi kerugian switching sebesar 15% dibandingkan dengan generasi sebelumnya sambil meningkatkan stabilitas suhu tinggi. Kemajuan teknologi ini telah meningkatkan kinerja keseluruhan modul trench 7 ke tingkat baru: tegangan on-state bisa serendah 1,2–1,5 V, frekuensi switching dengan mudah melebihi 50 kHz, dan suhu operasi maksimum telah ditingkatkan menjadi 175°C.