Blog Perusahaan Tentang Pasokan N-Channel IPD35N10S3L26ATMA1 100V Transistor MOSFET Kelas Otomotif TO-252-3

Pasokan N-Channel IPD35N10S3L26ATMA1 100V Transistor MOSFET Kelas Otomotif TO-252-3

Spesifikasi

Polaritas Transistor: Saluran-N

Jumlah Saluran: 1 Saluran

VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: 100 V

Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: 35 A

Rds On - Ketahanan Drain-Source: 20 mOhm

Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: 1,2 V

Qg - Biaya Gerbang: 39 nC

Suhu Operasional Minimum: - 55 C

Suhu Operasional Maksimum: + 175 C

Pd - Disipasi Daya: 71 W

Modus Saluran: Peningkatan

Deskripsi Produk

IPD35N10S3L26ATMA1 adalah OptiMOS®-T Power-Transistor, Total gate charge yang dioptimalkan untuk tingkat output driver yang lebih kecil.

Fitur

N-Channel - Mode yang Disempurnakan

100% longsoran diuji

Suhu operasi 175°C

Arus maksimum hingga 180A

Puncak MSL1 mengembalikan suhu hingga 260°C

Daya switching rendah dan kehilangan daya konduksi untuk efisiensi termal yang tinggi