Tinggalkan pesan
Kami akan segera menghubungi Anda kembali!
Pesan Anda harus antara 20-3.000 karakter!
Silakan periksa email Anda!
Lebih banyak informasi memfasilitasi komunikasi yang lebih baik.
Berhasil dikirim!
Kami akan segera menghubungi Anda kembali!
Tinggalkan pesan
Kami akan segera menghubungi Anda kembali!
Pesan Anda harus antara 20-3.000 karakter!
Silakan periksa email Anda!
—— Nishikawa dari Jepang
—— Luis Dari Amerika Serikat
—— Richardg dari Jerman
—— Tim dari Malaysia
—— Vincent dari Rusia
—— Nishikawa dari Jepang
—— Sam dari Amerika Serikat
—— Lina dari Jerman
Pasokan NXP PMDXB600UNE Dual N-channel Trench MOSFET Transistor
Deskripsi Produk
PMDXB600UNE adalah Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor dalam paket plastik SOT1216 Surface-Mounted Device yang sangat kecil tanpa timah menggunakan teknologi Trench MOSFET.
Fitur
Teknologi trench MOSFET
Paket plastik SMD ultra kecil dan ultra tipis tanpa timah: 1,1 × 1,0 × 0,37 mm
Pad pembuangan terbuka untuk konduksi termal yang sangat baik
Perlindungan pelepasan elektrostatik (ESD) > 1 kV HBM
Resistensi sumber pembuangan pada keadaan aktif RDSon = 470 mΩ
Aplikasi
Pengemudi relay
Pengemudi jalur kecepatan tinggi
Saklar beban sisi rendah
Sirkuit switch