Blog Perusahaan Tentang Supply ON Power Module: IGBT Module, MOSFET Module, Smart Power Module, SiC Module

Supply ON Power Module: IGBT Module, MOSFET Module, Smart Power Module, SiC Module

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.adalah pemasok profesional komponen elektronik, berpegang pada tujuan “ melayani pelanggan, menguntungkan pelanggan”,melalui optimasi berkelanjutan dari manajemen rantai pasokan dan perluasan lini produk, telah berkembang menjadi perusahaan acuan global di bidang distribusi komponen elektronik.

Produk utamaChip 5G, IC energi baru, IC IoT, IC Bluetooth, IC Telematika, IC kelas otomotif, IC komunikasi, IC AI, IC memori, IC sensor, IC mikrokontroler, IC transceiver, IC Ethernet,Chip WiFi, modul komunikasi nirkabel, konektor dan komponen elektronik lainnya

Keuntungan Pasokan

Sistem persediaan yang besar: perusahaan memiliki lebih dari 2 juta jenis model inventaris yang menguntungkan, meliputi kelas militer, kelas industri,Komunikasi dan semua jenis komponen teknologi tinggi dingin dan panas, dapat dengan cepat menanggapi kebutuhan mendesak pelanggan, secara signifikan memperpendek R & D pelanggan dan siklus produksi.

Penjaminan kualitas yang ketat: semua komponen yang dikirimkan berasal dari produsen asli atau saluran resmi, yang menyediakan pelacakan batch lengkap dan layanan garansi.Perusahaan secara ketat menerapkan ISO9001:2014 sistem manajemen mutu untuk memastikan keandalan dan konsistensi setiap produk.

Jaringan Logistik Efisien: Dengan cabang dan mitra logistik di seluruh dunia, kami dapat mencapai pengiriman cepat 1-3 hari dan mendukung model sourcing yang fleksibel sebesar 1 buah.Kemampuan rantai pasokan yang efisien ini sangat cocok untuk kebutuhan lot kecil dalam fase R&D dan untuk pemrosesan pesanan mendesak.

Modul IGBT: kombinasi sempurna dari kepadatan daya tinggi dan keandalan

Modul Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT), sebagai perangkat inti dari sistem elektronik daya modern, mendominasi bidang aplikasi daya menengah hingga tinggi.Modul IGBT ON dikenal karena kehilangan rendahnya, frekuensi switching tinggi dan ketahanan yang kuat, dan banyak digunakan dalam peralatan utama seperti drive motor listrik, inverter fotovoltaik, catu daya tak terputus (UPS),dan konverter frekuensi industriModul-modul ini menggunakan teknologi Trench Field Stop yang canggih untuk mencapai keseimbangan optimal antara kerugian konduksi dan switching, secara signifikan meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan.

Keuntungan teknis dari modul ON IGBT terutama tercermin dalam tiga aspek: pertama, ia mengadopsi struktur gerbang parit yang halus,yang secara signifikan mengurangi penurunan tegangan dalam keadaan aktif (VCE ((sat)) dan mengurangi kerugian daya dalam keadaan aktifKedua, desain lapisan terminal medan yang dioptimalkan memungkinkan modul untuk memiliki kecepatan switching yang lebih cepat dan kehilangan switching yang lebih rendah, yang cocok untuk skenario aplikasi frekuensi tinggi;dan terakhir, modul ini mengintegrasikan sensor suhu internal dan fungsi deteksi arus, yang memfasilitasi implementasi efisiensi sistem secara keseluruhan.Modul IGBT tersedia dalam tegangan nominal dari 600V hingga 1700V dan dalam kapasitas arus mulai dari 30A hingga ratusan ampere untuk memenuhi kebutuhan aplikasi pada tingkat daya yang berbeda.

Modul MOSFET: Ideal untuk High-Speed Switching dan Konversi Efisiensi Tinggi

Modul MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) menunjukkan keunggulan unik dalam aplikasi switching frekuensi tinggi.elektronik otomotif, dan sistem kontrol industri karena kinerja switching yang sangat baik dan karakteristik resistensi rendah.paket modular memberikan kepadatan daya yang lebih tinggi, kinerja termal yang lebih baik dan desain sistem yang disederhanakan, yang sangat cocok untuk skenario aplikasi daya menengah hingga tinggi.

Karakteristik teknis dari modul ON MOSFET terutama tercermin dalam empat aspek: pertama,modul MOSFET dengan teknologi Super Junction (Super Junction) mencapai resistensi on-on yang sangat rendah (RDS(on)) dalam aplikasi tegangan tinggi, yang secara signifikan mengurangi kerugian konduksi; kedua, desain gerbang yang dioptimalkan memungkinkan switching lebih cepat dan mengurangi kehilangan energi selama proses switching; dan ketiga,modul mengintegrasikan beberapa chip MOSFET di dalam, yang dapat mendukung berbagai topologi seperti jembatan penuh, setengah jembatan dan enam kelompok; akhirnya teknologi kemasan canggih memastikan kinerja konduksi termal yang baik,memungkinkan modul untuk bekerja stabil di lingkungan suhu tinggiTingkat tegangan modul MOSFET mencakup 40V hingga 900V, yang memenuhi kebutuhan yang beragam dari konverter DC-DC tegangan rendah ke sistem catu daya tegangan tinggi.

Modul Daya Cerdas (IPM): Perwujudan Integrasi dan Keandalan Tinggi yang Sempurna

Modul Daya Cerdas (IPM) mewakili tingkat tertinggi integrasi elektronik daya. produk IPM ON mengintegrasikan perangkat daya tegangan tinggi, sirkuit gerbang drive,dan fungsi perlindungan dalam satu paket, secara dramatis menyederhanakan desain sistem dan meningkatkan keandalan.modul ini menawarkan berbagai kekuatan peringkat dari 50W untuk 10kW, dan mendukung berbagai topologi seperti inverter tiga fase, PFC (Power Factor Correction) dan input bridge rectifier.

Keuntungan utama dari ON IPM terutama tercermin dalam empat aspek: pertama, desain yang sangat terintegrasi mengurangi jumlah komponen eksternal dan area PCB, menurunkan kompleksitas sistem dan biaya;Kedua, sirkuit pengemudi bawaan mengoptimalkan karakteristik switching perangkat daya sambil mengurangi gangguan elektromagnetik (EMI); ketiga,fungsi perlindungan yang komprehensif (termasuk overcurrent, perlindungan terhadap overheat, dan undervoltage, dll.) meningkatkan keandalan sistemdengan kapasitas arus mulai dari beberapa ampere hingga puluhan ampere untuk memenuhi kebutuhan tingkat daya yang berbeda.

Modul Karbida Silikon (SiC): Patokan Teknologi untuk Perangkat Daya Generasi Depan

Modul daya silikon karbida (SiC) mewakili arah pengembangan terdepan teknologi semikonduktor daya.Modul SiC ON menggunakan bahan semikonduktor generasi ketiga silikon karbida (SiC) sebagai perangkat dasar, yang memiliki keuntungan signifikan seperti toleransi suhu tinggi, karakteristik frekuensi tinggi, dan kehilangan konduktivitas rendah,dan mendorong peningkatan bidang teknologi seperti kendaraan listrik, inverter surya, dan sumber daya pusat data.Modul SiC dapat meningkatkan efisiensi sistem sebesar 3-5% dan mengurangi konsumsi energi lebih dari 30%, sementara secara signifikan mengurangi ukuran dan berat sistem, menjadikannya solusi ideal untuk memenuhi tantangan efisiensi energi dan kepadatan daya.

Keuntungan teknis dari modul ON SiC terutama tercermin dalam lima aspek:kekuatan medan listrik pemecahan kritis tinggi dari bahan SiC memungkinkan perangkat untuk beroperasi pada tegangan yang lebih tinggi sambil mengurangi ketebalan wilayah drift, yang menurunkan resistensi on; kedua, karakteristik SiC (3,26 eV) yang dilarang lebar band memungkinkan perangkat untuk beroperasi pada suhu yang lebih tinggi (di atas 200 °C),yang mengurangi kompleksitas sistem disipasi panasKetiga, perangkat SiC hampir tidak memiliki arus pemulihan terbalik, secara dramatis mengurangi kerugian switching dan memungkinkan operasi frekuensi yang lebih tinggi.Konduktivitas termal yang sangat baik (sekitar tiga kali lipat dari silikon) meningkatkan kepadatan daya dan memungkinkan sistem yang lebih kompak; dan terakhir, peningkatan efisiensi sistem secara keseluruhan mengurangi konsumsi energi dan kebutuhan disipasi panas, menghasilkan siklus yang baik.Modul SiC mencakup dua jenis modul,modul SiC murni dan modul hibrida Si/SiC, dengan tingkat tegangan 1200V dan 1200V. Tingkat tegangan terutama 1200V dan 1700V untuk memenuhi kebutuhan aplikasi tegangan tinggi.