Blog Perusahaan Tentang WeEn WNSC2D401200CW Dual Silicon Carbide Schottky Diode Untuk Sumber Daya Modus Bergeser Frekuensi Tinggi

KamiWNSC2D401200CWDual Silicon Carbide Schottky Diode Untuk High Frequency Switched-Mode Power Supplies

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd,sebagai perusahaan terkemuka di industri pasokan komponen elektronik, adalah pemasok jangka panjangWNSC2D401200CWdioda Schottky silikon karbida dual-channel untuk sumber daya switching frekuensi tinggi. Sebagai anggota penting dari keluarga perangkat daya silikon karbida (SiC),WNSC2D401200CWmenjadi salah satu perangkat yang disukai untuk desain sistem elektronik daya efisiensi tinggi karena kinerja frekuensi tinggi yang sangat baik, kerugian pemulihan terbalik yang sangat rendah,dan kemampuan operasi suhu tinggi.

Ringkasan ProdukWNSC2D401200CW
WNSC2D401200CW adalah dioda Schottky karbida silikon dual-channel dari WeEn Semiconductor, dioptimalkan untuk aplikasi catu daya switching frekuensi tinggi.WNSC2D401200CW didasarkan pada teknologi bahan silikon karbida canggih dan memiliki 1200V tegangan puncak terbalik berulang (VRRM) dan 40A terus maju arus (IF) kemampuan, dan mempertahankan kinerja listrik yang sangat baik di lingkungan suhu tinggi.

Keuntungan terbesar dari WNSC2D401200CW dibandingkan dengan dioda Schottky berbasis silikon konvensional adalah karakteristik pemulihan terbaliknya yang hampir nol.Dioda silikon konvensional menghasilkan arus pemulihan terbalik yang signifikan saat mematikan, yang mengakibatkan kerugian switching tambahan dan kebisingan EMI.mendasar menghilangkan fenomena ini berdasarkan sifat fisik dari bahan semikonduktor lebar pita luas, memungkinkan sistem untuk beroperasi pada frekuensi yang lebih tinggi tanpa mengorbankan efisiensi.

Desain dual-channel WNSC2D401200CW memberikan fleksibilitas desain yang lebih besar untuk topologi catu daya.Konverter depan dual-switch, atau aplikasi half/full bridge rectification, menyederhanakan manajemen termal sistem dengan heat sink bersama.Paket TO-247-3L memiliki pengaturan pinout standar industri yang kompatibel dengan desain yang ada, memungkinkan penggantian perangkat yang mudah dan peningkatan kinerja bagi pelanggan.

Parameter utamaWNSC2D401200CW
Spesifikasi tegangan dan arus: VRRM=1200V, IF=40A (kontinu), IFSM=120A (surge)
Karakteristik konduksi: penurunan tegangan depan khas VF=1,7V (@IF=20A, TJ=25°C)
Kinerja switching: Hampir nol muatan pemulihan terbalik (Qrr<30nC), kehilangan switching berkurang secara signifikan
Karakteristik termal: kisaran suhu simpang operasi -55°C sampai +175°C, resistensi termal RθJC=0,5°C/W
Paket: Paket saluran ganda TO-247-3L, desain termal yang dioptimalkan

Keuntungan TeknisWNSC2D401200CW
WeEn WNSC2D401200CW Silicon Carbide Schottky dioda mewakili perkembangan mutakhir teknologi semikonduktor daya,dan keunggulan teknologinya tidak hanya tercermin dalam satu parameterPerangkat WNSC2D401200CW memberikan nilai yang signifikan bagi desainer dalam tiga dimensi: efisiensi,kepadatan daya dan keandalan.

Peningkatan Efisiensi:
Kerugian switching yang sangat rendah: Qrr <30nC memungkinkan frekuensi switching untuk ditingkatkan menjadi ratusan kHz tanpa peningkatan kerugian yang signifikan,mengurangi kerugian switching lebih dari 80% dibandingkan dengan dioda pemulihan cepat berbasis silikon.
Stabilitas suhu tinggi: WNSC2D401200CW memiliki drift VF kurang dari 15% pada 175 °C, dibandingkan dengan degradasi kinerja 30% atau lebih yang biasanya terkait dengan perangkat silikon.
Kerugian konduksi yang dioptimalkan: karakteristik koefisien suhu positif VF memungkinkan beberapa perangkat digunakan secara paralel untuk menyeimbangkan arus alami

Peningkatan kepadatan daya:
Kemampuan frekuensi tinggi WNSC2D401200CW memungkinkan penggunaan komponen pasif yang lebih kecil (induktor, kapasitor, trafo), mengurangi ukuran sistem sebesar 30-50%.
Desain terintegrasi dua saluran menghemat ruang PCB dan menyederhanakan tata letak
Kinerja termal yang sangat baik mengurangi persyaratan ukuran heat sink

Keandalan yang ditingkatkan:
Kekuatan medan pemecahan kritis yang tinggi dari bahan silikon karbida (2-4MV / cm, 5-10 kali lebih tinggi dari silikon) memastikan operasi yang stabil di bawah tegangan tinggi.
WNSC2D401200CW tahan radiasi dan cocok untuk aerospace dan lingkungan keras lainnya.
Tidak ada efek modulasi konduktif, menghindari mode kegagalan karena longsor dinamis

Aplikasi dariWNSC2D401200CW
Sumber daya server dan sistem catu daya pusat data: WNSC2D401200CW menggunakan dioda SiC dalam sumber daya Titanium 80Plus, memungkinkan efisiensi seluruh mesin melebihi 96%,mengurangi biaya daya operasi secara signifikan
Pengisi daya kendaraan listrik (OBC): WNSC2D401200CW memenuhi permintaan untuk kepadatan daya tinggi sambil menahan lingkungan suhu tinggi di kompartemen mesin.
Inverter fotovoltaik surya: Efisiensi MPPT meningkat 1-2 poin persentase, memperpanjang waktu produksi listrik
Industrial Motor Drive: High frequency switching mengurangi gelombang arus, panas dan kebisingan motor.
Sistem pengisian nirkabel: frekuensi operasi kelas MHz untuk mencapai kumparan pemancar dan penerima yang lebih kecil.

Sirkuit aplikasi khasWNSC2D401200CW
PFC boost interleaved: Dua saluran digunakan dalam sirkuit interleaved dua fase untuk mengurangi gelombang arus masukan sambil berbagi heat sinks
LLC konverter resonansi: WNSC2D401200CW digunakan sebagai perangkat paralel untuk rectifier sinkron untuk mengurangi kehilangan konduksi
Pengoreksi jembatan penuh tiga fase: tiga perangkat membentuk sistem enam saluran untuk konversi AC/DC bertenaga tinggi
Konverter DC/DC dua arah: Aliran energi dua arah yang sangat efisien menggunakan karakteristik Qrr rendah dari dioda SiC