IMBG120R140M1H Paket Sirkuit Terpadu Chip 1200V SiC MOSFET Transistor TO-263-7

Chip Sirkuit Terpadu IMBG120R140M1H 1200 V SiC Trench MOSFET Transistor dalam paket TO-263-7

Spesifikasi DariIMBG120R140M1H

Fitur IMBG120R140M1H
Kerugian switching yang sangat rendah
Waktu tahan hubung singkat 3 µs
DV/dt yang dapat dikontrol sepenuhnya
Tegangan ambang gerbang benchmark, VGS(th) = 4.5V
Kuat terhadap nyala parasit, tegangan gerbang mati 0V dapat diterapkan
Dioda bodi yang kuat untuk pergantian yang sulit
Teknologi interkoneksi XT untuk kinerja termal terbaik di kelasnya
Jarak rambat paket dan jarak bebas > 6,1 mm
Sense pin untuk kinerja switching yang optimal

Manfaat IMBG120R140M1H
Peningkatan efisiensi
Mengaktifkan frekuensi yang lebih tinggi
Peningkatan kepadatan daya
Pengurangan upaya pendinginan
Pengurangan kompleksitas sistem dan biaya

Aplikasi potensial IMBG120R140M1H
Drive
Infrastruktur – Pengisi daya
Pembangkit energi - Solar string inverter dan solar optimizer
Catu daya industri - UPS Industri

FAQ
T. Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk asli, impor asli baru adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
J: Kami adalah Perusahaan Bersertifikat ISO 9001:2015 dan anggota ERAI.
T: Dapatkah Anda mendukung pesanan atau sampel dalam jumlah kecil? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana cara mengirimkan pesanan saya?Apakah ini aman?
A: Kami menggunakan express untuk mengirim, seperti DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan. Produk akan dikemas dengan baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab atas kerusakan produk pada pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu tunggu?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang stok dalam waktu 5 hari kerja. Jika tanpa stok, kami akan mengkonfirmasi waktu tunggu untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.