PMDXB600UNE 20V Dual N Channel Trench MOSFET Transistor 6 Paket XFDFN

Paket PMDXB600UNE 20V Dual N-channel Trench MOSFET Transistor 6-XFDFN

Deskripsi Produk PMDXB600UNE

PMDXB600UNE adalah Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) dalam kemasan plastik Surface-Mounted Device (SMD) DFN1010B-6 (SOT1216) ultra kecil tanpa timah menggunakan teknologi Trench MOSFET.

Spesifikasi PMDXB600UNE

Fitur Dari PMDXB600UNE

• Teknologi MOSFET parit
• Paket plastik SMD ultra kecil dan ultra tipis tanpa timah: 1,1 × 1,0 × 0,37 mm
• Panel pembuangan terbuka untuk konduksi termal yang sangat baik
• Proteksi ElectroStatic Discharge (ESD) > 1 kV HBM
• Tiriskan-sumber resistensi pada-negara RDSon = 470 mΩ

Aplikasi Dari PMDXB600UNE

• Pengemudi relai
• Pengemudi jalur kecepatan tinggi
• Sakelar beban sisi rendah
• Beralih sirkuit

Garis besar paket PMDXB600UNE

FAQ
T. Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk asli, impor asli baru adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
J: Kami adalah Perusahaan Bersertifikat ISO 9001:2015 dan anggota ERAI.
T: Dapatkah Anda mendukung pesanan atau sampel dalam jumlah kecil? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana cara mengirimkan pesanan saya?Apakah ini aman?
A: Kami menggunakan express untuk mengirim, seperti DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan. Produk akan dikemas dengan baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab atas kerusakan produk pada pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu tunggu?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang stok dalam waktu 5 hari kerja. Jika tanpa stok, kami akan mengkonfirmasi waktu tunggu untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.