Perangkat Daya Parit SiC Paket IMBG65R163M1H TO-263-8 650 V Transistor

SiC Trench Power Device IMBG65R163M1H TO-263-8 Paket 650 V Transistor

Deskripsi produkIMBG65R163M1H

IMBG65R163M1H cocok untuk suhu tinggi dan operasi yang keras, memungkinkan penyebaran yang disederhanakan dan hemat biaya dari efisiensi sistem tertinggi.

SpesifikasiIMBG65R163M1H

Fitur dari IMBG65R163M1H

• Keandalan gate oxide yang superior

• Tj.max=175"C dan perilaku termal yang sangat baik

Jenis Produk Pasokan Lainnya

FAQ

T: Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk adalah asli, baru impor asli adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah ISO 9001:2015 Certified Company dan anggota ERAI.
T: Bisakah Anda mendukung pesanan kuantitas kecil atau sampel? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana pengiriman pesanan saya? Apakah aman?
A: Kami menggunakan ekspres untuk kapal, seperti DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang disarankan.Produk akan dalam kemasan yang baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab untuk kerusakan produk untuk pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu pengiriman?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang dalam waktu 5 hari kerja. Jika tidak ada stok, kami akan mengkonfirmasi waktu pengiriman untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.