Silicon Carbide IMW120R090M1H N-Channel 1200V MOSFET Transistor TO-247-3

Silicon Carbide IMW120R090M1H N-Channel 1200V MOSFETs Transistor TO-247-3

Deskripsi produkIMW120R090M1H

IMW120R090M1H adalah CoolSiCTM 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET, kehilangan switching yang sangat rendah.

SpesifikasiIMW120R090M1H

Fitur dariIMW120R090M1H

• Bebas ambang pada karakteristik keadaan
• Rentang tegangan sumber gerbang yang luas
• Tegangan ambang gerbang acuan, VGS ((th) = 4,5V
• Tegangan gerbang mati 0V untuk penggerak gerbang yang mudah dan sederhana
• dV/dt yang dapat dikontrol sepenuhnya
• Dioda tubuh yang kuat untuk komutasi keras

Komponen Elektronik Lainnya Di Stok

FAQ

T: Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk adalah asli, baru impor asli adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah ISO 9001:2015 Certified Company dan anggota ERAI.
T: Bisakah Anda mendukung pesanan kuantitas kecil atau sampel? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana pengiriman pesanan saya? Apakah aman?
A: Kami menggunakan ekspres untuk pengiriman, seperti DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan.Produk akan dalam kemasan yang baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab untuk kerusakan produk untuk pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu pengiriman?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang dalam waktu 5 hari kerja. Jika tidak ada stok, kami akan mengkonfirmasi waktu pengiriman untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.