Detail produk:
|
Nomor Bagian: | IMBG120R090M1H | Qg - Biaya Gerbang: | 23 nC |
---|---|---|---|
Rds On - Resistensi Drain-Source: | 125 mOhm | Id - Arus Tiriskan Terus Menerus: | 26 A |
VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: | 1,2 kV | Seri: | Trenchstop IGBT Kecepatan Tinggi 3 |
Chip Sirkuit Terpadu IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT Transistor TO-263-8
Deskripsi Produk DariIMBG120R090M1H
IMBG120R090M1H adalah CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET, N-Channel 1200V 26A, Surface Mount, Paket TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab).
Spesifikasi DariIMBG120R090M1H
Nomor bagian: | IMBG120R090M1H |
Konfigurasi: | Lajang |
Waktu Musim Gugur: | 10 detik |
Transkonduktansi Maju - Min: | 4.7 S |
Tipe produk: | MOSFET |
Waktu Naik: | 3.1 n |
Fitur dariIMBG120R090M1H
Komponen Elektronik Lainnya Tersedia
Nomor Bagian | Kemasan |
XA6SLX9-3FTG256Q | FBGA-256 |
XA6SLX9-2CSG324I | 324-LFBGA |
XA6SLX9-2FTG256I | FBGA-256 |
XA6SLX75T-2FGG484Q | FCBGA-484 |
XA6SLX75T-3FGG484Q | FCBGA-484 |
XA6SLX75T-2FGG484I | FCBGA-484 |
FAQ
T: Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk asli, impor asli baru adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah Perusahaan Bersertifikat ISO 9001:2015 dan anggota ERAI.
T: Dapatkah Anda mendukung pesanan atau sampel dalam jumlah kecil? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana cara mengirimkan pesanan saya?Apakah ini aman?
A: Kami menggunakan express untuk mengirim, seperti DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan. Produk akan dikemas dengan baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab atas kerusakan produk pada pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu tunggu?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang stok dalam waktu 5 hari kerja. Jika tanpa stok, kami akan mengkonfirmasi waktu tunggu untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.
Kontak Person: Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Faks: 86-0755-83957753