650V Transistor IMBG65R083M1HXTMA1 Silicon Carbide MOSFET Tabung Tunggal TO-263-8

 650V Transistor IMBG65R083M1HXTMA1 Silicon Carbide MOSFET Tabung Tunggal TO-263-8

Deskripsi Produk DariIMBG65R083M1HXTMA1

IMBG65R083M1HXTMA1 adalah Silicon Carbide MOSFET Single Tube, dalam paket SMD 7-pin yang ringkas, dirancang untuk meningkatkan kinerja sistem, mengurangi ukuran, dan meningkatkan keandalan.

Spesifikasi DariIMBG65R083M1HXTMA1

Fitur dariIMBG65R083M1HXTMA1

• Qrr dan Qoss rendah
• Kerugian switching rendah
• Dioda bodi cepat yang kuat secara komutatif
• Teknologi parit canggih untuk keandalan gerbang oksida yang sangat baik
• Teknologi interkoneksi XT untuk kinerja termal yang unggul
• Peningkatan kemampuan longsoran salju
• Paket SMD untuk integrasi langsung ke PCB
• Sense pin untuk kinerja peralihan yang dioptimalkan

Komponen Elektronik Lainnya Tersedia

FAQ

T: Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk asli, impor asli baru adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah Perusahaan Bersertifikat ISO 9001:2015 dan anggota ERAI.
T: Dapatkah Anda mendukung pesanan atau sampel dalam jumlah kecil? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana cara mengirimkan pesanan saya?Apakah ini aman?
A: Kami menggunakan express untuk mengirim, seperti DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan. Produk akan dikemas dengan baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab atas kerusakan produk pada pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu tunggu?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang stok dalam waktu 5 hari kerja. Jika tanpa stok, kami akan mengkonfirmasi waktu tunggu untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.