Transistor Silikon Karbida Chip Sirkuit Terpadu IMBG65R039M1HXTMA1 TO-263-8

 Transistor Silikon Karbida Chip Sirkuit Terpadu IMBG65R039M1HXTMA1 TO-263-8

Deskripsi Produk DariIMBG65R039M1HXTMA1

IMBG65R039M1HXTMA1 adalah N-Channel 650V CoolSiC M1 SiC Trench Power Device, dibangun di atas teknologi silikon karbida padat.

Spesifikasi DariIMBG65R039M1HXTMA1

Fitur dariIMBG65R039M1HXTMA1

• Pergantian dioda bodi cepat yang kuat
• Mengurangi biaya dan kompleksitas sistem
• Ketangguhan dan keandalan sistem yang lebih tinggi

Aplikasi DariIMBG65R039M1HXTMA1

• Server
• telekomunikasi
• Mengalihkan Catu Daya (SMPS)

Komponen Elektronik Lainnya Tersedia

FAQ

T: Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk asli, impor asli baru adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah Perusahaan Bersertifikat ISO 9001:2015 dan anggota ERAI.
T: Dapatkah Anda mendukung pesanan atau sampel dalam jumlah kecil? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana cara mengirimkan pesanan saya?Apakah ini aman?
A: Kami menggunakan express untuk mengirim, seperti DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan. Produk akan dikemas dengan baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab atas kerusakan produk pada pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu tunggu?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang stok dalam waktu 5 hari kerja. Jika tanpa stok, kami akan mengkonfirmasi waktu tunggu untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.