Chip Sirkuit Terpadu STG200M65F2D8AG Transistor IGBT Kelas Otomotif 650V

  Chip Sirkuit Terpadu STG200M65F2D8AG Transistor IGBT Kelas Otomotif 650V

Deskripsi Produk DariSTG200M65F2D8AG

STG200M65F2D8AG adalah kelas Otomotif 650V, 200A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die dalam kemasan D8.

Spesifikasi DariSTG200M65F2D8AG

Fitur DariSTG200M65F2D8AG

• IGBT seri kerugian rendah
• VCE rendah (sat) = 1,55 V (kebiasaan) pada IC = 200 A
• Koefisien temperatur VCE(sat) positif
• Distribusi parameter yang ketat
• Suhu sambungan maksimum: TJ = 175 °C
• 6 µs hubung singkat minimum dengan waktu bertahan pada TJ = 150°C

Komponen Elektronik Lainnya Tersedia

FAQ

T: Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk asli, impor asli baru adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah Perusahaan Bersertifikat ISO 9001:2015 dan anggota ERAI.
T: Dapatkah Anda mendukung pesanan atau sampel dalam jumlah kecil? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana cara mengirimkan pesanan saya?Apakah ini aman?
A: Kami menggunakan express untuk mengirim, seperti DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan. Produk akan dikemas dengan baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab atas kerusakan produk pada pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu tunggu?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang stok dalam waktu 5 hari kerja. Jika tanpa stok, kami akan mengkonfirmasi waktu tunggu untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.