1200V MOSFET SCTWA50N120 N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Melalui Lubang HiP247

1200V MOSFET SCTWA50N120 N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Melalui Lubang HiP247

Deskripsi Produk SCTWA50N120

SCTWA50N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mΩ (typ., TJ=150 °C) dalam paket lead panjang HiP247™.

Spesifikasi SCTWA50N120

Fitur SCTWA50N120

• Variasi yang sangat ketat dari resistansi vs suhu
• Kemampuan suhu sambungan operasi yang sangat tinggi (TJ = 200 °C)
• Dioda tubuh intrinsik yang sangat cepat dan kuat
• Kapasitansi rendah

Aplikasi SCTWA50N120

• Inverter surya, UPS
• Penggerak motor
• Konverter DC-DC tegangan tinggi
• Ganti catu daya mode

Jenis Produk Pasokan Lainnya

FAQ

T: Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk asli, impor asli baru adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah Perusahaan Bersertifikat ISO 9001:2015 dan anggota ERAI.
T: Dapatkah Anda mendukung pesanan atau sampel dalam jumlah kecil? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana cara mengirimkan pesanan saya?Apakah ini aman?
A: Kami menggunakan express untuk mengirim, seperti DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan. Produk akan dikemas dengan baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab atas kerusakan produk pada pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu tunggu?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang stok dalam waktu 5 hari kerja. Jika tanpa stok, kami akan mengkonfirmasi waktu tunggu untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.