Detail produk:
|
Nomor bagian: | SCT2080KEGC11 | Rds On - Resistensi Drain-Source: | 80 mOhm |
---|---|---|---|
Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: | - 6 V, + 22 V | Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: | 4 V |
Qg - Biaya Gerbang: | 106 nC | Suhu Operasional Maksimum: | + 175°C |
SCT2080KEGC11 N-channel Silicon Carbide TO-247-3 Power MOSFET Transistor 262W
Deskripsi Produk DariSCT2080KEGC11
SCT2080KEGC11 adalah 1200V, 80mΩ N-channel Silicon Carbide Power MOSFET Transistor.
Spesifikasi DariSCT2080KEGC11
Nomor bagian: | SCT2080KEGC11 | Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs: | 106 NC @ 18 V |
---|---|---|---|
Vg (Maks): | +22V, -6V | Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds: | 2080 PF @ 800 V |
Disipasi Daya (Maks): | 262W (Tc) | Suhu Operasional: | 175°C (TJ) |
Karakteristik Pemindahan KhasSCT2080KEGC11
Komponen Elektronik Lainnya Tersedia
Nomor Bagian | Kemasan |
CY8C5666AXI-LP001 | LQFP100 |
2229056-1 | SMD |
LT3651EUHE-8.2 | QFN36 |
MMPF0100F0AEP | QFN-56 |
F381A475MMA | SMD |
16TQC100MYF | SMD |
FAQ
T: Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk asli, impor asli baru adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah Perusahaan Bersertifikat ISO 9001:2015 dan anggota ERAI.
T: Dapatkah Anda mendukung pesanan atau sampel dalam jumlah kecil? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana cara mengirimkan pesanan saya?Apakah ini aman?
A: Kami menggunakan express untuk mengirim, seperti DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan. Produk akan dikemas dengan baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab atas kerusakan produk pada pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu tunggu?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang stok dalam waktu 5 hari kerja. Jika tanpa stok, kami akan mengkonfirmasi waktu tunggu untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.
Kontak Person: Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Faks: 86-0755-83957753