A5G26H605W19NR3 Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement MOSFET Transistor 85 W untuk 2496 sampai 2690 MHz dengan impedansi terminal tinggi

A5G26H605W19N 85 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.

• Impedansi terminal tinggi untuk kinerja broadband yang optimal
• Performa tinggi canggih dalam kemasan Doherty
• Perbaikan besar vektor kesalahan linier dengan sinyal generasi berikutnya
• Mampu menahan VSWR output yang sangat tinggi dan kondisi operasi broadband
• Kemasan plastik
• RoHS sesuai

• Pengalaman lebih dari 15 tahun untuk komponen elektronik
• Pemesanan yang Aman
• Umpan Balik yang Baik
• Tanggal Pengiriman Dijamin
• 100% Harga Rendah Dijamin
• Ekspor ke 108 negara, tingkat kepuasan pelanggan: 99,9%

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd adalah distributor independen berwenang komponen elektronik dari merek terkenal di dunia.Mingjiada telah secara berturut-turut mendirikan cabang di Hong KongKami telah lulus sertifikasi yang dilakukan sesuai dengan ISO9001: 2014 untuk sistem manajemen mutu dan ISO14001: 2014 untuk sistem manajemen lingkungan.

Dengan tim berpengalaman dalam penjualan, R & D dan manajemen, kami mengkhususkan diri dalam mendistribusikan produk dari lebih dari 500 produsen terkenal.,kami menawarkan berbagai produk dan juga menyediakan layanan berkualitas tinggi dan responsif dengan logistik profesional dan tim layanan pelanggan kami.Mingjiada telah berkembang menjadi distributor komponen elektronik utama (berwenang dan tidak berwenang) yang terkenal di pasar IC domestik dan luar negeri.