Integrated Circuit Chip GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN Pada SiC HEMT Transistor

Integrated Circuit Chip GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN Pada SiC HEMT Transistor

Deskripsi produkGTVA262701FA-V2-R2

GTVA262701FA-V2-R2 adalah 270 watt GaN pada SiC high electron mobility transistor (HEMT) untuk digunakan dalam aplikasi amplifier daya seluler multi-standar.dan paket pemasangan permukaan termal yang ditingkatkan dengan flange tanpa telinga.

SpesifikasiDariGTVA262701FA-V2-R2

Fitur dariGTVA262701FA-V2-R2

• GaN pada teknologi SiC HEMT
• Input yang cocok
• Kinerja CW tipikal berdenyut: Lebar denyut 10 μs, 10% siklus kerja, 2690 MHz, 48 V
- Kekuatan output pada P3dB = 270 W
- Efisiensi = 66%
- Peningkatan = 18,1 dB
• Kelas Model Tubuh Manusia 1B (menurut ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
• Mampu menangani 10:1 VSWR @ 48 V, 60 W (WCDMA) daya keluar
• Bebas Pb dan sesuai RoHS

Komponen Elektronik Lainnya Di Stok

FAQ
Q. Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk adalah asli, baru impor asli adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah ISO 9001:2015 Certified Company dan anggota ERAI.
T: Bisakah Anda mendukung pesanan kuantitas kecil atau sampel? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana pengiriman pesanan saya? Apakah aman?
A: Kami menggunakan ekspres untuk kapal, seperti DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan.Produk akan dalam kemasan yang baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab untuk kerusakan produk untuk pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu pengiriman?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang dalam waktu 5 hari kerja. Jika tidak ada stok, kami akan mengkonfirmasi waktu pengiriman untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.