A2T27S020GNR1 Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement Mode RF Power Transistor LDMOS

A2T27S020GNR1 Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement Mode RF Power Transistor LDMOS

Deskripsi produk A2T27S020GNR1
A2T27S020GNR1 adalah transistor LDMOS dengan daya RF 2,5 W yang dirancang untuk aplikasi stasiun basis seluler yang mencakup rentang frekuensi 400 hingga 2700 MHz.

Spesifikasi A2T27S020GNR1

Fitur dari A2T27S020GNR1
Jangkauan tegangan negatif sumber gerbang yang lebih besar untuk peningkatan operasi Kelas C
Dirancang untuk sistem koreksi kesalahan predistorsi digital
Pengemudi broadband universal
RoHS sesuai

Komponen Elektronik Lainnya Di Stok

FAQ
Q. Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk adalah asli, baru impor asli adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah ISO 9001:2015 Certified Company dan anggota ERAI.
T: Bisakah Anda mendukung pesanan kuantitas kecil atau sampel? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana pengiriman pesanan saya? Apakah aman?
A: Kami menggunakan ekspres untuk kapal, seperti DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan.Produk akan dalam kemasan yang baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab untuk kerusakan produk untuk pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu pengiriman?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang dalam waktu 5 hari kerja. Jika tidak ada stok, kami akan mengkonfirmasi waktu pengiriman untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.