TC58NYG2S0HBAI4 Chip IC Memori 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

TC58NYG2S0HBAI4 Memory IC Chip 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

Ringkasan Produk TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4 adalah tunggal 1,8V 4 Gbit (4,563,402,752 bit) NAND Memori Baca-Hanya yang Bisa Dihapus dan Diprogram secara Listrik (NAND E2PROM) terorganisir sebagai (4096 + 256) byte

TC58NYG2S0HBAI4 memiliki dua register statis 4352 byte yang memungkinkan data program dan bacaan untuk ditransfer antara register dan array sel memori dalam 4352 byte.Operasi Hapus diimplementasikan dalam satu unit blok (256 Kbyte + 16 Kbyte: 4352 byte x 64 halaman).

Spesifikasi TC58NYG2S0HBAI4

Fitur dari TC58NYG2S0HBAI4

Organisasi x8
Array sel memori: 4352 x 128K x 8
Catatan: 4352 x 8
Ukuran halaman: 4352 byte
Ukuran blok: (256K x 16K) byte
Sumber daya - VCC: 1,7V sampai 1,95V
8 bit ECC untuk setiap 512Byte diperlukan.

Komponen Elektronik Lainnya Di Stok

FAQ
Q. Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk adalah asli, baru impor asli adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah ISO 9001:2015 Certified Company dan anggota ERAI.
T: Bisakah Anda mendukung pesanan kuantitas kecil atau sampel? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana pengiriman pesanan saya? Apakah aman?
A: Kami menggunakan ekspres untuk pengiriman, seperti DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang disarankan.Produk akan dalam kemasan yang baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab untuk kerusakan produk untuk pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu pengiriman?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang dalam waktu 5 hari kerja. Jika tidak ada stok, kami akan mengkonfirmasi waktu pengiriman untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.