RBN75H65T1FPQ-A0 Integrated Circuit Chip 650V 75A Trench IGBT Transistor TO-247-3

RBN75H65T1FPQ-A0 Integrated Circuit Chip 650V 75A Trench IGBT Transistor TO-247-3

Deskripsi Produk RBN75H65T1FPQ-A0

RBN75H65T1FPQ-A0 adalah 650V, 75A Trench Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) menawarkan kolektor rendah untuk emiter saturasi tegangan, built-in fast recovery diode (FRD),dan dapat digunakan untuk aplikasi power switchingIni tersedia dalam jenis paket TO-247A.

Spesifikasi RBN75H65T1FPQ-A0

Fitur dari RBN75H65T1FPQ-A0

Gerbang parit dan teknologi wafer tipis (seri G8H)
Diode pemulihan cepat terintegrasi dalam satu paket
Tegangan jenuh kolektor rendah ke emiter VCE ((sat) = 1,5V tip. (pada IC = 75A, VGE = 15V, Ta = 25 °C)
Kelas kualitas: Standar
Pergantian kecepatan tinggi
Non-spesifikasi untuk sirkuit pendek

Aplikasi dari RBN75H65T1FPQ-A0

UPS
Pengelasan
Inverter fotovoltaik
Sistem konverter daya

Komponen Elektronik Lainnya Di Stok

FAQ
Q. Apakah produk Anda asli?
A: Ya, semua produk adalah asli, baru impor asli adalah tujuan kami.
T: Sertifikat apa yang Anda miliki?
A: Kami adalah ISO 9001:2015 Certified Company dan anggota ERAI.
T: Bisakah Anda mendukung pesanan kuantitas kecil atau sampel? Apakah sampel gratis?
A: Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.
T: Bagaimana pengiriman pesanan saya? Apakah aman?
A: Kami menggunakan ekspres untuk kapal, seperti DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan.Produk akan dalam kemasan yang baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab untuk kerusakan produk untuk pesanan Anda.
T: Bagaimana dengan waktu pengiriman?
A: Kami dapat mengirimkan suku cadang dalam waktu 5 hari kerja. Jika tidak ada stok, kami akan mengkonfirmasi waktu pengiriman untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.