|
Detail produk:
|
| Nomor Bagian: | IQE018N06NM6 | ID (@25°C) maks: | 178 a |
|---|---|---|---|
| QG (ketik @10V): | 43 nC | RDS (aktif) (@10V) maks: | 1,8 mΩ |
| VDS maks: | 60 V | Suhu Operasional: | -55 °C hingga 175 °C |
| Menyoroti: | Transistor MOSFET Daya 60V,178 Sebuah Chip Sirkuit Terpadu,1 |
||
IQE018N06NM6 adalah 60V OptiMOSTM 6 Power MOSFET Transistor dalam paket PG-TSON-8. Teknologi wafer terbaru Infineon memberikan peningkatan kinerja yang signifikan dibandingkan OptiMOSTM 5,Termasuk > 37% RDS lebih rendah ((on) dan ~ 25% FOMQg yang ditingkatkan x RDS ((on)Peningkatan ini menghasilkan efisiensi sistem yang lebih tinggi dan kepadatan daya untuk topologi soft-switching dan aplikasi frekuensi rendah.
| ID (@25°C) maksimal | 178 A |
| Polaritas | N |
| QG (jenis @10V) | 43 Masehi |
| RDS (menyala) (@10V) maksimal | 1.8 mΩ |
| VDS maksimal | 60 V |
| VGS (th) | 2.7 V |
| Suhu operasi | -55 °C sampai 175 °C |
| Paket | PQFN 3.3x3.3 Sumber-Down |
Penggerak motor tujuan umum
Konversi daya DC-DC
| Nomor Bagian | Paket |
|---|---|
| IXXN100N60B3H1 | SOT-227-4 |
| IXA17IF1200HJ | TO-247-3 |
| IXXH60N65B4H1 | TO-247-3 |
| IXXK200N65B4 | TO-264-3 |
| IXXR110N65B4H1 | TO-247-3 |
| IXYH100N65C3 | TO-247-3 |
| IXYN82N120C3 | SOT-227-4 |
| IXXX160N65C4 | TO-247-3 |
| IXGX120N60A3 | TO-247-3 |
| IXXK110N65B4H1 | TO-264-3 |
| IXBA14N300HV | TO-263-3 |
| IXYP20N65C3D1M | TO-220-3 |
| IXXN340N65B4 | SOT-227-4 |
| MMIX1X340N65B4 | 24-PowerSMD |
| IXYT12N250CV1HV | TO-268-3 |
| IXYA30N120A3HV | TO-263-3 |
| IXYA12N250CHV | TO-263-3 |
| IXGA20N250HV-TRL | TO-263-3 |
| IXYN100N65B3D1 | SOT-227-4 |
| IXA4IF1200TC-TRL | TO-268-3 |
| IXXT100N75B4HV | TO-263-3 |
| IXYP30N120A4 | TO-220-3 |
| IXYP20N120A4 | TO-220-3 |
| IXYP20N120B4 | TO-220-3 |
| IXYH40N120B4 | TO-247-3 |
| IXYP24N100A4 | TO-220-3 |
| IXYH20N65B3 | TO-247-3 |
| IXYT40N120A4HV | TO-268-3 |
| IXYP20N120C4 | TO-220-3 |
| IXYP15N65B3D1 | TO-220-3 |
Kontak Person: Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Faks: 86-0755-83957753