IQE031N08LM6CG Power MOSFET Transistor dengan 80V Drain-Source Voltage 127A Continuous Drain Current dan 3,15 mOhms Drain-Source Resistance

Name: IQE031N08LM6CG Power MOSFET Transistor dengan 80V Drain-Source Voltage 127A Continuous Drain Current dan 3,15 mOhms Drain-Source Resistance
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IQE031N08LM6CG
Availability: InStock

Semua produk

Chip Sirkuit Terpadu
(21274)

IC BT
(558)

Modul IGBT Otomotif
(2226)

MCU Mikrokontroler
(14929)

GaN IC
(166)

Chip Prosesor AI
(1304)

Larik Gerbang yang Dapat Diprogram Lapangan
(7008)

IC Ethernet
(1075)

Konektor
(3512)

Chip IC Memori
(2616)

Sensor IC
(2515)

chip IoT
(244)

modul 5G
(160)

Chip Wi-Fi
(153)

Chip IC iPhone
(54)

Modul Komunikasi Nirkabel
(3749)

Termostat Pengontrol Suhu
(11)

Solusi Tersemat
(9624)

Produk terbaik

CYPD6227-96BZXI Chip Sirkuit Terpadu Port Ganda Pengontrol USB Tipe C IC VFBGA96

MC33984CHFKR2 Sakelar Distribusi Daya IC Driver Beban Chip Sirkuit Terpadu

MCZ33905DD5EKR2 Integrated Circuit Chip System Basis Chip dengan CAN dan LIN berkecepatan tinggi

Sertifikasi

Ulasan pelanggan

Dikirim sangat cepat, dan sangat membantu, Baru dan Asli, akan sangat merekomendasikan.

—— Nishikawa dari Jepang

Layanan profesional dan cepat, harga barang yang dapat diterima.komunikasi bagus, produk sesuai harapan.Saya sangat merekomendasikan pemasok ini.

—— Luis Dari Amerika Serikat

Kualitas tinggi dan kinerja yang dapat diandalkan: "Komponen elektronik yang kami terima dari [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] berkualitas tinggi dan telah menunjukkan kinerja yang dapat diandalkan dalam perangkat kami".

—— Richardg dari Jerman

Harga yang kompetitif: Harga yang ditawarkan oleh sangat kompetitif, menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk kebutuhan pengadaan kami.

—— Tim dari Malaysia

Mereka selalu responsif dan membantu, memastikan kebutuhan kami dipenuhi dengan cepat.

—— Vincent dari Rusia

Harga bagus, pengiriman cepat, dan layanan pelanggan terbaik.

—— Nishikawa dari Jepang

Komponen yang handal, pengiriman cepat, dan dukungan yang sangat baik.

—— Sam dari Amerika Serikat

Bagian berkualitas tinggi dan proses pemesanan yang mulus. sangat merekomendasikan ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd untuk setiap proyek elektronik!

—— Lina dari Jerman

I 'm Online Chat Now

IQE031N08LM6CG Power MOSFET Transistor dengan 80V Drain-Source Voltage 127A Continuous Drain Current dan 3,15 mOhms Drain-Source Resistance

Gambar besar : IQE031N08LM6CG Power MOSFET Transistor dengan 80V Drain-Source Voltage 127A Continuous Drain Current dan 3,15 mOhms Drain-Source Resistance

Detail produk:

Tempat asal:	CN
Nama merek:	Original Factory
Sertifikasi:	Lead free / RoHS Compliant
Nomor model:	IQE031N08LM6CG

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order:	10
Harga:	Contact for Sample
Kemasan rincian:	PG-WHTFN-9
Waktu pengiriman:	5-8 Hari Kerja
Syarat-syarat pembayaran:	T/T, L/C, Western Union

Kontak

IQE031N08LM6CG Power MOSFET Transistor dengan 80V Drain-Source Voltage 127A Continuous Drain Current dan 3,15 mOhms Drain-Source Resistance

Deskripsi

Nomor Bagian:	IQE031N08LM6CG	Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss):	80 V
Suhu Operasional Minimum::	- 55 C	Suhu Operasional Maksimum::	+ 175 C
Pd - Pembuangan Daya::	125 W	Transkonduktansi Maju - Min::	55 detik
Menyoroti:	MOSFET Daya Tegangan Sumber Pembuangan 80V , 127A Transistor Arus Pembuangan Terus Menerus , Chip Sirkuit Terpadu Ketahanan Sumber Saluran 3

IQE031N08LM6CG Integrated Circuit Chip N-Channel 80V 127A OptiMOSTM 6 Power MOSFET Transistor

IQE031N08LM6CG adalah MOSFET daya OptiMOS TM 6 terbaik di kelasnya dengan tingkat logika 80V dalam paket PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate (CG).Komponen ini memberikan industri yang terendah pada-negara resistensi RDS ((on) pada 25 ̊C, kinerja termal yang superior, dan kemampuan paralelisasi yang dioptimalkan.

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Polaritas Transistor	Saluran N
Jumlah Saluran	1 Saluran
Vds - Tegangan pemisahan sumber pembuangan	80 V
Id - Arus pembuangan terus menerus	127 A
Rds On - Resistensi sumber pembuangan	3.15 mOhms
Vgs - Tegangan sumber gerbang	20 V
Vgs th - Tegangan ambang sumber gerbang	2.3 V
Qg - Biaya Gerbang	26 nC
Suhu operasi minimum	-55°C
Suhu operasi maksimum	+175°C
Pd - Pembuangan Daya	125 W

Fitur Utama

Tingkat logika memungkinkan Qrr dan QOSS yang lebih rendah
Center Gate dioptimalkan untuk paralel
Hingga 35% lebih rendah RDS ((on) dibandingkan generasi sebelumnya
Kemungkinan tata letak yang baru dan dioptimalkan

Manfaat Kinerja

Memungkinkan kepadatan daya tertinggi & kinerja
Kinerja termal yang superior
Tata letak yang efisien untuk pemanfaatan ruang
MOSFET yang disederhanakan paralel
Peningkatan kerugian PCB

Komponen Elektronik terkait dalam stok

Nomor Bagian	Paket
ISOUSB211DPR	28-SSOP
TPS25859QRPQRQ1	25-VQFN
TPS25868QRPQRQ1	25-VQFN
TPS25846QCWRHBRQ1	32-VQFN
TPS25833QCWRHBRQ1	32-VQFN
TPS25852QRPQRQ1	25-VQFN
TPS25831QWRHBRQ1	32-VQFN
TPS25762CAQRQLRQ1	29-VQFN
TPS25730SRSMR	32-VQFN
TUSB211ARWBR	12-XFQFN
TUSB211AIRWBR	12-X2QFN
TPS25730DREFR	38-WQFN
TPD3S713AQRVCRQ1	20-WQFN
TUSB2E22RZAR	20-VQFN
AM6421BSDGHAALVR	441-FCBGA
AM6442BSEGHAALV	441-FCBGA
AM6251ATCGHAALW	425-FCCSP
DRA821U4TGBALMR	433-FCBGA
DRA821U2CGBALMR	433-FCBGA
AM6254ATGFHIAMCRQ1	441-FCBGA
LMK1D1216RGZR	48-VQFN
LMK1C1108PWR	16-TSSOP
2EDN7534R	TSSOP-8
2EDF7275K	TFLGA-13
2EDN8534R	TSSOP-8
2ED2101S06F	DSO-8
TDA21590	QFN-39
2EDN7533R	TSSOP-8
1ED3461MC12M	DSO-16
2EDN7434R	TSSOP-8

Pertanyaan yang Sering Diajukan

Apakah produk Anda asli?

Ya, semua produk adalah asli, baru impor asli adalah tujuan kami.

Sertifikat apa yang Anda miliki?

Kami adalah ISO 9001:2015 Perusahaan bersertifikat dan anggota ERAI.

Apakah Anda mendukung pesanan atau sampel dalam jumlah kecil? Apakah sampel gratis?

Ya, kami mendukung pesanan sampel dan pesanan kecil. Biaya sampel berbeda sesuai dengan pesanan atau proyek Anda.

Bagaimana cara mengirim pesananku?

Kami menggunakan express untuk pengiriman, seperti DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Kami juga dapat menggunakan forwarder yang Anda sarankan.Produk akan dalam kemasan yang baik dan memastikan keamanan dan kami bertanggung jawab untuk kerusakan produk untuk pesanan Anda.

Bagaimana dengan lead time?

Kami dapat mengirimkan suku cadang dalam waktu 5 hari kerja. Jika tidak ada stok, kami akan mengkonfirmasi waktu pengiriman untuk Anda berdasarkan jumlah pesanan Anda.

Label:

Kontak Person: Sales Manager

Tel: 86-13410018555

Faks: 86-0755-83957753

Produk lainnya

LT8609IMSE#WTRPBF Integrated Circuit Chip DC DC Switching Regulators 10-TFSOP

Nomor Bagian: LT8609IMSE#WTRPBF

Status Produk: Aktif

Fungsi: Langkah-Turun

Konfigurasi Keluaran: Positif

Lithium Ion BQ79616PAPRQ1 BQ79616 Baterai Multi Fungsi Controller IC 64-HTQFP

Fungsi: Pengontrol Multi-Fungsi

Kimia baterai: Ion lithium

Jumlah sel: 1

Perlindungan Kesalahan: lebih dari suhu

Chip Terintegrasi USB3.2 10Gbps TUSB1002ARGER Saluran Ganda Linear Redriver QFN24

Nomor bagian: TUSB1002ARGER

Produk: Pengalih USB

Tarif Data: 10 Gb/dtk

Kecepatan: Kecepatan Super (SS)

Chip Sirkuit Terpadu Loop Tertutup TAS5805MPWPR Penguat Kelas D TAS5805 HTSSOP28

Nomor bagian: TAS5805MPWPR

Tegangan Pasokan - Min: 3 V

Tegangan Pasokan - Maks: 3,6 V

Suhu Operasional (Min): -25°C

NCP51200 Voltage Regulator IC NCP51200MNTXG Ic Chips Data Rate Termination Regulator

Nomor bagian: NCP51200MNTXG

Jumlah Keluaran: 1

Tegangan - Keluaran: 0,5V ~ 1,8V

Tegangan - Masukan: 2.375V ~ 3.5V

IQE031N08LM6CG Power MOSFET Transistor dengan 80V Drain-Source Voltage 127A Continuous Drain Current dan 3,15 mOhms Drain-Source Resistance

IQE031N08LM6CG Power MOSFET Transistor dengan 80V Drain-Source Voltage 127A Continuous Drain Current dan 3,15 mOhms Drain-Source Resistance

IQE031N08LM6CG Power MOSFET Transistor dengan 80V Drain-Source Voltage 127A Continuous Drain Current dan 3,15 mOhms Drain-Source Resistance

MOSFET Daya Tegangan Sumber Pembuangan 80V

127A Transistor Arus Pembuangan Terus Menerus

Chip Sirkuit Terpadu Ketahanan Sumber Saluran 3

Chip Sirkuit Terpadu 24-PQFN,

TUSB1002ARGER Dual Channel Linear,