|
Detail produk:
|
| Nomor Bagian: | IPDQ60R055CM8 | ID (@ TC=25°C) maks: | 45 A |
|---|---|---|---|
| ID (@25°C) maks: | 45 A | IDpuls (@25°C) maks: | 148 A |
| RDS (aktif) (@ Tj = 25°C): | 45,83315 mΩ | Ptot (@25°C) maks: | 236 W |
| Menyoroti: | Transistor MOSFET Daya 600V,Chip Sirkuit Terpadu 45A,Mengurangi Biaya Gerbang CoolMOS™ 8 |
||
IPDQ60R055CM8 adalah N-Channel 600V CoolMOSTM 8 Power MOSFET Transistor yang menampilkan peningkatan kinerja yang signifikan dibandingkan generasi sebelumnya.Semikonduktor daya canggih ini memberikan pengisian gerbang yang berkurang (Qg) sebesar 20% dibandingkan CFD7, peningkatan penurunan kerugian turn-off (Eoss) sebesar 12% dibandingkan dengan CFD7, biaya pemulihan terbalik (Qrr) lebih rendah sebesar 3% dibandingkan dengan CFD7, dan memiliki waktu pemulihan terbalik (trr) terendah yang tersedia di pasar.
| Parameter | Nilai |
|---|---|
| ID (@ TC=25°C) maksimal | 45 A |
| ID (@25°C) maksimal | 45 A |
| IDpuls (@25°C) maksimal | 148 A |
| Pemasangan | SMT |
| Suhu operasi (Tj) | -55 °C sampai 150 °C |
| Paket | Q-DPAK |
| Polaritas | N |
| Ptot (@25°C) maksimal | 236 W |
| QG (jenis @10V) | 51 nC |
| RDS (menyala) (@ Tj = 25°C) | 45.83315 mΩ |
| VDS maksimal | 600 V |
| VGS (th) | 4.2 V |
Kontak Person: Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Faks: 86-0755-83957753