BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

Name: BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: BM3G107MUV-LBE2
Availability: InStock

Semua produk

Chip Sirkuit Terpadu
(24373)

IC BT
(575)

Modul IGBT Otomotif
(2304)

MCU Mikrokontroler
(16135)

GaN IC
(306)

Chip Prosesor AI
(1351)

Larik Gerbang yang Dapat Diprogram Lapangan
(7072)

IC Ethernet
(1167)

Konektor
(3537)

Chip IC Memori
(2651)

Sensor IC
(2884)

chip IoT
(248)

modul 5G
(160)

Chip Wi-Fi
(199)

Chip IC iPhone
(54)

Modul Komunikasi Nirkabel
(3880)

Termostat Pengontrol Suhu
(11)

Solusi Tersemat
(10093)

Sertifikasi

Ulasan pelanggan

Dikirim sangat cepat, dan sangat membantu, Baru dan Asli, akan sangat merekomendasikan.

—— Nishikawa dari Jepang

Layanan profesional dan cepat, harga barang yang dapat diterima.komunikasi bagus, produk sesuai harapan.Saya sangat merekomendasikan pemasok ini.

—— Luis Dari Amerika Serikat

Kualitas tinggi dan kinerja yang dapat diandalkan: "Komponen elektronik yang kami terima dari [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] berkualitas tinggi dan telah menunjukkan kinerja yang dapat diandalkan dalam perangkat kami".

—— Richardg dari Jerman

Harga yang kompetitif: Harga yang ditawarkan oleh sangat kompetitif, menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk kebutuhan pengadaan kami.

—— Tim dari Malaysia

Mereka selalu responsif dan membantu, memastikan kebutuhan kami dipenuhi dengan cepat.

—— Vincent dari Rusia

Harga bagus, pengiriman cepat, dan layanan pelanggan terbaik.

—— Nishikawa dari Jepang

Komponen yang handal, pengiriman cepat, dan dukungan yang sangat baik.

—— Sam dari Amerika Serikat

Bagian berkualitas tinggi dan proses pemesanan yang mulus. sangat merekomendasikan ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd untuk setiap proyek elektronik!

—— Lina dari Jerman

I 'm Online Chat Now

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

Gambar besar : BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

Detail produk:

Tempat asal:	CN
Nama merek:	Original Factory
Sertifikasi:	Lead free / RoHS Compliant
Nomor model:	BM3G107MUV-LBE2

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order:	10
Harga:	Contact for Sample
Kemasan rincian:	Paket Standar
Waktu pengiriman:	3-5 hari kerja
Syarat-syarat pembayaran:	T/T
Menyediakan kemampuan:	10.000 Potongan per Hari

Kontak

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

Deskripsi

Menyoroti:

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC

BM3G107MUV-LBE2

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC [MJD Advantage] + 15 years experience for electronic components + Secure Ordering + Excellent Feedback + Delivery Date Guaranteed + 100% Low Price Guaranteed + Export to 108 countries, customer satisfaction rate: 99.9% !! [Company profile] Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. is an authorized independent distributor of electronic components of world-renowned brands. Founded in Shenzhen in 1996

Label:

Kontak Person: Sales Manager

Tel: 86-13410018555

Faks: 86-0755-83957753

Produk lainnya

Driver Setengah Jembatan GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 Tujuan Umum

Kategori: Driver Setengah Jembatan Penuh PMIC

Seri: CoolGaN™

Aplikasi: Tujuan umum

Rds On: 140mOhm LS 140mOhm HS

Driver FET LMG3411R070RWHR Gan Power Ic Power Distribution Switch P Channel 32VQFN

Rasio - Input:Output: 1:1

antarmuka: Logika, PWM

Tegangan - Pasokan (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Arus - Keluaran (Maks): 12A

LMG3410R070RWHR GaN IC Power Switch Driver P Channel GaN Driver Terintegrasi

Konfigurasi Keluaran: Sisi Tinggi

Jenis output: Saluran-P

Tegangan - Beban: 480V (Maks)

Tegangan - Pasokan (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

LMG3422R030RQZR GaN FET 600V Driver Gerbang Terisolasi GaN Terintegrasi

Arus Keluar: 1.2 A

Tegangan Pasokan - Min: 7,5 V

Tegangan Pasokan - Maks: 18 V

Waktu Bangun: 4 n

LMG3411R150RWHR Gan Driver IC 6A VQFN32 Saklar Distribusi Daya IC N Channel

Tegangan - Beban: 480V (Maks)

Tegangan - Pasokan (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Arus - Keluaran (Maks): 6A

Rd Aktif (Ketik): 150mOhm

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

Chip Sirkuit Terpadu

IC BT

Modul IGBT Otomotif

MCU Mikrokontroler

GaN IC

Chip Prosesor AI

Larik Gerbang yang Dapat Diprogram Lapangan

IC Ethernet

Konektor

Chip IC Memori

Sensor IC

chip IoT

modul 5G

Chip Wi-Fi

Chip IC iPhone

Modul Komunikasi Nirkabel

Termostat Pengontrol Suhu

Solusi Tersemat

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC

BM3G107MUV-LBE2

VQFN54 Terintegrasi Setengah Jembatan Gan Driver,

LMG3422R030RQZR GaN FET,

Gan Fet Gerbang Driver VQFN54

Driver Setengah Jembatan GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 Tujuan Umum

Driver FET LMG3411R070RWHR Gan Power Ic Power Distribution Switch P Channel 32VQFN

LMG3410R070RWHR GaN IC Power Switch Driver P Channel GaN Driver Terintegrasi

LMG3422R030RQZR GaN FET 600V Driver Gerbang Terisolasi GaN Terintegrasi

LMG3411R150RWHR Gan Driver IC 6A VQFN32 Saklar Distribusi Daya IC N Channel

Chip Sirkuit Terpadu

VN7008AJTR Chip Sirkuit Terpadu Driver Sisi Tinggi 96A Sakelar Sisi Tinggi PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrated Circuit Chip iCMOSTM Switch 4.7Ohm Industrial CMOS Analog Switch

LT6700CS6-1 Integrated Circuit Chip Micropower Low Voltage Dual Comparator Dengan Referensi 400mV

IC Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY Transceiver