CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Gain 6 GHz sampai 12 GHz Gallium Nitride HEMT MMIC Power Amplifier

CMPA601 adalah sirkuit terpadu gelombang mikro monolitik (MMIC) berbasis transistor mobilitas elektron tinggi (HEMT) gallium-nitride (GaN) pada substrat silikon karbida, menggunakan proses fabrikasi panjang gerbang 0,25-μm. GaN pada SiC menawarkan sifat unggul dibandingkan silikon, gallium arsenida, atau GaN pada Si, termasuk tegangan tembus yang lebih tinggi, kecepatan hanyutan elektron jenuh yang lebih tinggi, dan konduktivitas termal yang lebih tinggi. HEMT GaN juga memberikan kepadatan daya yang lebih besar dan bandwidth yang lebih luas dibandingkan transistor Si, GaAs, dan GaN pada Si. MMIC ini menampilkan pendekatan desain penguat yang dicocokkan secara reaktif yang memungkinkan bandwidth yang sangat luas.

• Penguatan Sinyal Kecil 34 dB
• PSAT Khas 40 W
• Operasi hingga 28 V
• Tegangan Tembus Tinggi
• Operasi Suhu Tinggi
• Ukuran 0,172 x 0,239 x 0,004 inci

• Penguat Broadband
• Penguat Radar
• Penguat Peralatan Uji
• Penguat Jamming