Nomor Bagian:IPQC60R040S7XTMA1
Vg (Maks):±20V
Tegangan penggerak:12V
Nomor Bagian:IPP60R040S7XKSA1
Rds On - Resistensi Drain-Source:40 mOhm
Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber:4,5 V
Nomor Bagian:FCH060N80-F155
Typ. Ketik. RDS(on) RDS(aktif):54 m
Biaya Gerbang Sangat Rendah:Typ. Ketik. Qg = 270 nC Qg = 270 nC
Nomor Bagian:IPBE65R230CFD7AATMA1
Tipe FET:Saluran-N
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds:1044 pF @ 400 V
Nomor Bagian:NTPF082N65S3F
Modus Saluran:Peningkatan
Tipe Transistor:1 MOSFET SuperFET III Saluran-N
Nomor Bagian:NTMFSC0D9N04CL
Ukuran:5mmx6mm
Polaritas transistor:Saluran-N
Nomor Bagian:IPP65R099CFD7AAKSA1
Vg (Maks):±20V
Disipasi Daya (Maks):127W (Tc)
Nomor Bagian:IPBE65R145CFD7AATMA1
teknologi:MOSFET (Oksida Logam)
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C:17A (Tc)
Nomor Bagian:NTHL020N090SC1
Pulsed Drain Current (TA = 25°C):472A
Biaya Gerbang Sangat Rendah:QG(tot) = 196 nC
Nomor Bagian:IPD050N10N5ATMA1
Tiriskan ke Tegangan Sumber:100 V
Jumlah Saluran:1
Nomor Bagian:NVHL050N65S3HF
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On):10V
Disipasi Daya (Maks):403W (Tc)
Nomor Bagian:KSZ8081MNXIA
Tipe Antarmuka:MII, RMII
Tegangan Pasokan Operasi:3.3 V