Cina Modul IGBT Otomotif

Modul IGBT Otomotif MSCSM170AM45CT1AG 319W Chassis Mount Transistor

Nomor Bagian:MSCSM170AM45CT1AG

Vdss:1700V

Saat Ini - Tiriskan Terus Menerus:64A (Tc)
Modul IGBT Otomotif MSCSM120DAM11CT3AG Modul Daya MOSFET SiC 4000Vrms

Nomor Bagian:MSCSM120DAM11CT3AG

Vf - Tegangan Maju:1,5 V pada 180 A

Waktu Musim Gugur:25 detik
MSCSM70AM10CT3AG Modul Semikonduktor Terpisah 700V 241A 690W Chassis Mount SP3F

Nomor Bagian:MSCSM70AM10CT3AG

Kategori Produk:Modul Semikonduktor Diskrit

Vf - Tegangan Maju:1,5 V pada 100 A
Modul IGBT Otomotif 1200V MSC130SM120JCU2 N-Channel Silicon Carbide SOT-227-4

Nomor Bagian:MSC130SM120JCU2

Jenis:Meningkatkan Chopper

Vgs - Tegangan Sumber Gerbang:- 10 V, + 25 V
Modul IGBT Otomotif MSC100SM70JCU2 Meningkatkan Modul Daya Chopper SiC MOSFET SOT-227-4

Nomor Bagian:MSC100SM70JCU2

Tipe FET:Saluran-N

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs:19mOhm @ 40A, 20V
Modul IGBT Otomotif MSCSM70AM025CD3AG Transistor modul daya Silicon Carbide

Nomor Bagian:MSCSM70AM025CD3AG

VF:1,5 V

VR:700 V
Modul Semikonduktor Terpisah MSCSM120AM50CT1AG Transistor Silikon Karbida

Nomor Bagian:MSCSM120AM50CT1AG

Teknologi:SIC

Jenis:Fase Kaki
Tiga Level Inverter MSCSM170TLM23C3AG Modul Daya MOSFET SiC 1700V 4N-Channel

Nomor Bagian:MSCSM170TLM23C3AG

Paket Perangkat Pemasok:SP3F

Paket / Kasus:Modul
Modul IGBT Otomotif MSCSM120AM11CT3AG 1.2kV 254A 1.067kW MOSFET Transistor

Nomor Bagian:MSCSM120AM11CT3AG

Membalikkan Waktu Pemulihan:90ns

Ketahanan termal sambungan-ke-kasing:0,126°C/BB
4N-Channel Silicon Carbide MOSFET MSCSM70TLM10C3AG Modul IGBT Otomotif 700V

Nomor Bagian:MSCSM70TLM10C3AG

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs:430nC @ 20V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds:9000pF @ 700V
Modul IGBT Otomotif MSCDC100A120D1PAG Silicon Carbide Schottky Module 1200V

Nomor Bagian:MSCDC100A120D1PAG

Konfigurasi Dioda:1 Pasang Sambungan Seri

Total muatan kapasitif VR = 600V:448 nC (Tipe)
Modul IGBT Otomotif MSCSM120TAM16CTPAG 728W Modul Semikonduktor Diskrit

Nomor Bagian:MSCSM120TAM16CTPAG

Arus bocor gerbang-sumber:1μA

Tegangan ambang gerbang:2.8V

Page 179 of 181|< << 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 >> >|

Modul IGBT Otomotif

Econo Daya Sedang FF900R12ME7WB11BPSA1 Modul IGBT PIM Tiga Fase Ganda

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 Phase IGBT Modul 950V 70A Energi Fotovoltaik

Modul IGBT Otomotif FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A Modul IGBT Ganda

Cina Modul IGBT Otomotif

Modul IGBT Otomotif MSCSM170AM45CT1AG 319W Chassis Mount Transistor

Modul IGBT Otomotif MSCSM120DAM11CT3AG Modul Daya MOSFET SiC 4000Vrms

MSCSM70AM10CT3AG Modul Semikonduktor Terpisah 700V 241A 690W Chassis Mount SP3F

Modul IGBT Otomotif 1200V MSC130SM120JCU2 N-Channel Silicon Carbide SOT-227-4

Modul IGBT Otomotif MSC100SM70JCU2 Meningkatkan Modul Daya Chopper SiC MOSFET SOT-227-4

Modul IGBT Otomotif MSCSM70AM025CD3AG Transistor modul daya Silicon Carbide

Modul Semikonduktor Terpisah MSCSM120AM50CT1AG Transistor Silikon Karbida

Tiga Level Inverter MSCSM170TLM23C3AG Modul Daya MOSFET SiC 1700V 4N-Channel

Modul IGBT Otomotif MSCSM120AM11CT3AG 1.2kV 254A 1.067kW MOSFET Transistor

4N-Channel Silicon Carbide MOSFET MSCSM70TLM10C3AG Modul IGBT Otomotif 700V

Modul IGBT Otomotif MSCDC100A120D1PAG Silicon Carbide Schottky Module 1200V

Modul IGBT Otomotif MSCSM120TAM16CTPAG 728W Modul Semikonduktor Diskrit

Chip Sirkuit Terpadu

VN7008AJTR Chip Sirkuit Terpadu Driver Sisi Tinggi 96A Sakelar Sisi Tinggi PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrated Circuit Chip iCMOSTM Switch 4.7Ohm Industrial CMOS Analog Switch

LT6700CS6-1 Integrated Circuit Chip Micropower Low Voltage Dual Comparator Dengan Referensi 400mV

IC Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY Transceiver