Nomor bagian:MT29F1G01ABBFD12-AAT:F
Organisasi Memori:1Gx1
Antarmuka Memori:SPI
Nomor bagian:MT29F8T08EWLEEM5-R:E
Tegangan Pasokan - Min:1,7 V
Tegangan Pasokan - Maks:1,95 V
Nomor bagian:MT25QL128ABA1EW7-0SIT
Sensitif terhadap kelembaban:Ya, aku tahu.
Format memori:KILATAN
Nomor bagian:MT35XU02GCBA1G12-0AAT
Kategori Produk:NOR flash
Ukuran memori:2 Gbit
Nomor bagian:MT29F8T08EWLEEM5-T:E
Organisasi:1T x 8
Antarmuka:Paralel
Nomor bagian:MT25QU02GCBB8E12-0SIT
Tegangan Pasokan - Min:1,7 V
Tegangan Pasokan - Maks:2 V
Nomor bagian:MT25QL512ABB8ESF-0AAT
Organisasi Memori:64Mx8
Tegangan - Pasokan:2.7V ~ 3.6V
Nomor bagian:MT35XU512ABA1G12-0SIT
DDR:200 MHz
Kepadatan:512MB
Nomor bagian:MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
Organisasi:1G x 1/512M x 2/256M x 4
Sensitif terhadap kelembaban:Ya, aku tahu.
Nomor bagian:MT62F768M64D4EK-023 WT:C
Kemasan:TFBGA 441 bola
Ukuran:14.0mm x 14.0mm
Nomor bagian:MT28EW512ABA1LJS-0SIT
Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman:60ns
Waktu akses:95 ns
Nomor bagian:MT62F2G64D8CZ-023 FAAT:C
VDD1:1.70–1.95V; 1,70–1,95V; 1.80V TYP TIPE 1.80V
Organisasi:2Gx64