Nomor Bagian:MT53E256M32D2DS-053 WT:B
Format memori:Dram
Teknologi:SDRAM - Seluler LPDDR4
Nomor Bagian:MT62F512M64D4EK-031 WT:B
Ukuran Memori:32Gbit
Organisasi Memori:512M x 64
Nomor Bagian:MT2F4G01ABBFDWB-IT:F
Bacaan acak:25μs
Bacaan Berurutan:30ns (hanya 3V x8)
Nomor Bagian:MT62F512M32D2DS-031 WT:B
Tipe memori:Tidak stabil
Format memori:Dram
Nomor Bagian:KLM8G1GETF-B041
Antarmuka:HS400
Voltase:1,8, 3,3 V / 3,3 V
Nomor Bagian:MT52L256M32D1PF-107 WT:B
Ukuran Memori:8 GB
Lebar Bus Data:32 sedikit
Nomor Bagian:MT41K256M16TW-107:P
Ukuran Memori:4 GB
Lebar Bus Data:16 sedikit
Nomor Bagian:SDINBDG4-8G
Kapasitas:8GB
Antarmuka:eMMC 5.1 HS400
Nomor Bagian:CAT24C128WI-GT3
Ukuran Memori:128kbit
Tipe Antarmuka:2-Kawat, I2C
Nomor Bagian:H9HCNNN8KUMLHR
Kapasitas:8Gbit
Jenis:Chip IC Memori
Nomor Bagian:CXDB3ABAM-MK
Kepadatan:8Gbit
Kecepatan Data:3733Mbps
Nomor Bagian:CXDB4ABAM-ML
Kapasitas:16Gbit
Suhu Operasional:-25 °C hingga 85 °C