Nomor Bagian:MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B
Tipe Memori:Lincah
Format memori:DRAM
Nomor bagian:MT41K64M16TW-107 AUT:J
Waktu akses:20 detik
Tegangan - Pasokan:1.283V ~ 1.45V
Nomor Bagian:MT40A4G8NEA-062E:F
Kategori Produk:DRAM
Waktu akses:13,75 detik
Nomor Bagian:MT53E512M32D1NP-046 WT:B
Paket / Kasus:200-WFBGA
Ukuran:10 mm x 14,5 mm
Nomor Bagian:MT62F1G64D8CH-031 WT:B
Ukuran memori:64Gbit
Organisasi Memori:1Gx64
Nomor Bagian:MT40A2G8SA-062E ITU:F
Ukuran:7,5 mm x 11 mm
Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman:15ns
Nomor Bagian:MT40A1G16TB-062E ITU:F
Teknologi:SDRAM-DDR4
I/O saluran terbuka semu:1.2V
Nomor Bagian:MT40A1G16KH-062E AIT:E
Jenis:SDRAM-DDR4
Lebar Bus Data:16 bit
Nomor bagian:S80KS5122GABHA023
Antarmuka Memori:HyperBus
Frekuensi Jam:200 MHz
Nomor Bagian:MT40A512M16LY-062E AAT:E
Sumber tegangan:1.14V ~ 1.26V
Format memori:DRAM
Nomor bagian:S27KS0642GABHV020
Tegangan Pasokan - Maks:2 V
Tegangan Pasokan - Min:1,7 V
Nomor bagian:S27KS0642GABHI033
Organisasi Memori:8Mx8
Bandwidth Antarmuka:400 MByte/dtk