Nomor bagian:IPDQ60R022S7XTMA1
Vgs(th) (Max) @ Id:4.5V @ 1.44mA
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
Nomor bagian:NTH4L020N090SC1
Teknologi:SiCFET (Silikon Karbida)
Tipe FET:Saluran-N
Nomor bagian:NVBLS001N06C
Id - Arus Tiriskan Terus Menerus:422 A
Suhu Operasional Maksimum:+ 175 C
Nomor bagian:NTHL080N120SC1A
Rd Aktif:110mOhm
VGS:4.3V
Nomor bagian:NVH4L022N120M3S
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C:68A (Tc)
Tegangan penggerak:18V
Nomor bagian:NTBLS1D1N08H
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs:1,05mOhm @ 50A, 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds:11200 pF @ 40 V
Nomor bagian:NTBG080N120SC1
Kuras−ke−Tegangan Sumber:1200 V
Tegangan Gerbang−ke−Sumber:−15/+25 V
Nomor bagian:NTTFD4D0N04HLTWG
Teknologi:MOSFET (Oksida Logam)
Konfigurasi:2 Saluran-N (Ganda)
Nomor bagian:NTHL040N120SC1
Tipe FET:Saluran-N
Teknologi:SiCFET (Silikon Karbida)
Nomor bagian:NVMTS0D7N04CTXG
Kategori Produk:MOSFET
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs:0,67mOhm @ 50A, 10V
Nomor bagian:NVHL060N090SC1
Arus penguras tegangan gerbang nol:100 uA
Arus Kebocoran Gerbang−ke−Sumber:±1 uA
Nomor bagian:NTP055N65S3H
Waktu Tunda Penyalaan Umum:30 detik
Seri:SuperFET® III